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47N60C2-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。生产的高性能单极性N型功率半导体器件,具有优异的高压和高功率特性。其采用SJ_Multi-EPI技术,配备TO247封装,适用于各种电力控制和转换应用。该产品具有可靠性高、性能稳定等优点,广泛应用于工业、能源等领域。TO247;N沟道,650V;47A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: 47N60C2-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 47N60C2-VB

47N60C2-VB概述

    47N60C2-VB 超级结功率MOSFET技术手册

    1. 产品简介


    47N60C2-VB 是一款由VBsemi推出的N沟道超级结功率MOSFET(N-Channel Super Junction Power MOSFET)。它具有低导通电阻(RDS(on))和高击穿电压(VDS),适用于多种应用,包括服务器和电信电源、开关模式电源、功率因数校正电源、照明系统(如高强度放电灯和荧光灯镇流器)、工业设备(如焊接设备、感应加热、电机驱动、电池充电器和可再生能源设备等)。

    2. 技术参数


    - 击穿电压(VDS): 最大值为700V,在TJ最大时为650V。
    - 导通电阻(RDS(on)): 在25℃时,当栅极电压VGS为10V时,为0.06Ω。
    - 总栅极电荷(Qg): 最大值为273nC。
    - 输入电容(Ciss): 为5682pF(在VGS=0V,VDS=100V,频率为1MHz时)。
    - 输出电容(Coss): 为251pF。
    - 反向转移电容(Crss): 为1pF。
    - 反向恢复时间(trr): 在TJ = 25°C,IF = IS = 24A,dI/dt = 100A/μs,VR = 25V时为753ns至1506ns。
    - 最大功耗(PD): 415W。
    - 绝对最大额定值: 管脚到壳体电压VDS为650V,栅极到源极电压VGS为±30V,连续漏极电流ID在TJ = 150°C时,TC = 25°C时为47A,TC = 100°C时为30A。

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷(Qg): 降低开关损耗,提高效率。
    - 低输入电容(Ciss): 减少开关过程中的充电时间。
    - 低导通电阻(RDS(on)): 提高了器件的整体效率,减少了导通损耗。
    - 出色的雪崩能量评级(UIS): 具备良好的抗雪崩能力,适合于高压快速切换的应用。
    - 增强的瞬态热阻抗: 提升了器件的散热能力,提高了可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源: 利用其低RDS(on)和高UIS,可以实现更高的效率和更好的稳定性。
    - 开关模式电源(SMPS): 由于其快速的开关特性和低栅极电荷,可以有效地降低EMI干扰,提高转换效率。
    - 工业设备: 适合在各种工业应用中使用,如焊接设备、感应加热设备等,因为其抗雪崩能力和高击穿电压确保了可靠运行。
    使用建议:
    - 为了最大限度地减少寄生电感和电容,电路布局应尽量紧凑。
    - 使用接地平面来减少杂散电感的影响。
    - 在应用中注意热管理,以确保长期可靠运行。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 与现有的大多数电路板设计兼容。
    - 支持和服务: VBsemi提供了详尽的技术文档和在线支持。客户可以通过电话或电子邮件联系他们的技术支持团队。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 设备在高温环境下出现过热现象。
    - 解决方案: 改进散热设计,增加散热片或者外部风扇以提高冷却效率。
    - 问题2: 开关频率不稳定。
    - 解决方案: 检查电路布局,确保没有大的寄生电感和电容,避免信号干扰。

    7. 总结和推荐


    总体而言,47N60C2-VB是一款具备出色性能和广泛应用前景的超级结功率MOSFET。其独特的低栅极电荷和输入电容使其成为开关模式电源和功率因数校正电源的理想选择。同时,其卓越的抗雪崩能力和高击穿电压使其在工业应用中表现优异。对于寻求高性能MOSFET解决方案的工程师来说,这款产品是一个非常不错的选择。

47N60C2-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 47A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 75mΩ(mΩ)
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通道数量 1
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

47N60C2-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

47N60C2-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 47N60C2-VB 47N60C2-VB数据手册

47N60C2-VB封装设计

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