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NCE0202M-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。SOT89;N沟道;VDS=200V;ID =1A;RDS(ON)=1600mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;一款单N型场效应晶体管产品,适用于需要低功率和小尺寸的应用领域,包括但不限于低功率电源模块、传感器接口、医疗电子和通信设备等。
供应商型号: NCE0202M-VB SOT89-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE0202M-VB

NCE0202M-VB概述

    NCE0202M N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NCE0202M 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel MOSFET),具有多种特性以满足现代电力电子应用的需求。它特别适用于需要高速开关和动态 dV/dt 控制的应用场景。NCE0202M 具备重复雪崩等级,易于并联操作,并且对驱动要求简单,使其成为众多电力系统和电机控制领域的理想选择。

    2. 技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS): 200 V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 1.6 Ω @ VGS = 10 V
    - 总栅极电荷 (Qg): 8.2 nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 1.8 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 4.5 nC
    - 最大脉冲漏电流 (IDM): 3.7 A
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 50 mJ
    - 最大重复雪崩电流 (IAR): 0.96 A
    - 最大重复雪崩能量 (EAR): 0.31 mJ
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): 40 °C/W
    - 最大结到外壳热阻 (RthJC): 60 °C/W
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 2.0 ~ 4.0 V
    - 栅源泄漏 (IGSS): ±100 nA @ VGS = ±20 V
    - 零栅压漏电流 (IDSS): 25 μA @ VDS = 200 V
    - 体二极管的正向恢复时间 (trr): 150 ~ 310 ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr): 0.60 ~ 1.4 μC

    3. 产品特点和优势


    - 动态 dV/dt 等级: 支持快速开关操作,有助于减少开关损耗。
    - 重复雪崩等级: 增强了在极端条件下的可靠性。
    - 易于并联操作: 方便在需要更高电流输出的应用中并联多个 MOSFET。
    - 简单的驱动需求: 减少了外部电路复杂度,降低了成本。
    - 高可靠性: 在宽温度范围内保持稳定的性能。

    4. 应用案例和使用建议


    NCE0202M 广泛应用于各种电力电子系统中,例如电源转换器、电机驱动、电池管理和照明控制系统。为了实现最佳性能,建议遵循以下几点使用建议:
    - 布局优化: 保持低寄生电感,确保良好的接地平面。
    - 驱动器设计: 使用与待测设备 (D.U.T.) 类似的驱动器以保证驱动效果。
    - 冷却措施: 采用散热片或其他散热措施,特别是在高温环境中使用时。

    5. 兼容性和支持


    NCE0202M 兼容标准 PCB 安装和回流焊工艺,适用于多种封装形式。制造商提供了详细的安装指南和技术支持,包括热线电话和在线技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 开关过程中出现过高的结温。
    - 解决办法: 增加散热片或使用散热器,改善 PCB 散热设计。
    - 问题: 高温环境下性能不稳定。
    - 解决办法: 选择合适的散热方案,并确保适当的散热间隙。
    - 问题: 重复雪崩时电流不稳定。
    - 解决办法: 重新校准驱动器参数,确保正确的栅极电荷。

    7. 总结和推荐


    综上所述,NCE0202M 是一款性能卓越的 N 沟道 MOSFET,适合用于多种高要求的电力电子应用。其动态 dV/dt 等级、重复雪崩等级和易并联操作的特点,使其在市场上具备较强的竞争力。强烈推荐在高功率应用中使用此产品,特别是那些需要高速开关和稳定可靠性的场景。

NCE0202M-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Id-连续漏极电流 1A
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.6Ω(mΩ)
最大功率耗散 -
FET类型 2个N沟道
通道数量 1
长*宽*高 4.2mm*4.6mm*1.6mm
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NCE0202M-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE0202M-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NCE0202M-VB NCE0202M-VB数据手册

NCE0202M-VB封装设计

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