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4N03L01-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO263-7L;N+N沟道;VDS=40V;ID =200A;RDS(ON)=1mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、电动车辆和工业自动化等领域的模块中。
供应商型号: 4N03L01-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4N03L01-VB

4N03L01-VB概述

    4N03L01-VB MOSFET 技术手册

    产品简介


    4N03L01-VB 是一款由VBsemi生产的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它具有高可靠性和高性能的特点,广泛应用于电源转换、电机控制、汽车电子、通信系统等领域。这款MOSFET具备低导通电阻和高热稳定性,适用于多种高功率密度的应用场景。

    技术参数


    - 电压额定值:40 V (D-S)
    - 连续漏极电流:200 A
    - 最大栅源电压:±20 V
    - 导通电阻(RDS(on)):0.0015 Ω @ VGS = 10 V
    - 封装类型:TO-263-7L
    - 热阻(Junction-to-Ambient):40°C/W
    - 工作温度范围:-55°C 至 +175°C

    产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术:采用先进的沟槽结构,实现低导通电阻和高效能。
    - 低热阻封装:有效提高散热效率,延长使用寿命。
    - 100% Rg 和 UIS 测试:保证每个产品的可靠性,降低不良率。
    - 高温性能优异:即使在高达175°C的工作环境中也能稳定运行。

    应用案例和使用建议


    - 电源转换:适用于高频开关电源、逆变器等设备。
    - 电机控制:可作为驱动电路的核心部件,确保稳定的电机控制。
    - 汽车电子:适用于车载充电器、直流-直流转换器等。
    - 通信系统:可用于通信设备的电源管理模块。
    使用建议:
    - 在设计应用时,考虑散热问题,确保良好的散热条件。
    - 根据负载要求选择合适的栅源电压,以获得最佳性能。
    - 避免长时间处于极限条件下运行,以延长器件寿命。

    兼容性和支持


    - 兼容性:4N03L01-VB 可与其他标准的 TO-263-7L 封装的 MOSFET 相互替换。
    - 支持:VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,包括安装指导、调试支持及问题解答。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:MOSFET过热
    - 解决方法:增加散热措施,如加装散热片或使用水冷系统。

    - 问题2:栅源电压设置不当导致过电流
    - 解决方法:调整栅源电压至合适的值,以避免过电流现象。

    总结和推荐


    4N03L01-VB MOSFET 是一款性能优越且应用广泛的器件。它的低导通电阻、高可靠性以及出色的高温性能使其成为多种应用的理想选择。强烈推荐在电源转换、电机控制及汽车电子等领域使用此款MOSFET。
    联系信息:
    服务热线:400-655-8788
    官方网站:www.VBsemi.com
    希望以上内容对您有所帮助!如果您有任何疑问或需要进一步的技术支持,请随时联系我们。

4N03L01-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 2个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1mΩ(mΩ)
Id-连续漏极电流 200A
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
通道数量 2
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
配置 -
长*宽*高 16mm*10.8mm*4.9mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

4N03L01-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4N03L01-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4N03L01-VB 4N03L01-VB数据手册

4N03L01-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 9.7175
100+ ¥ 8.9977
500+ ¥ 8.2779
1000+ ¥ 7.9179
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