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KIA4N60H-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;N沟道;VDS=650V;ID =4A;RDS(ON)=2200mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=2750mΩ@VGS=4.5V;VGS=±30V;Vth=3.5V;用于工厂自动化控制系统、机器人和电动工具中的功率开关控制。
供应商型号: KIA4N60H-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KIA4N60H-VB

KIA4N60H-VB概述

    KIA4N60H N-Channel 650V MOSFET 技术手册

    产品简介


    KIA4N60H 是一款由台湾VBsemi公司生产的 N-Channel 650V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源转换、电机驱动、工业控制等领域。其低栅极电荷(Qg)设计使得驱动要求简单化,并且具备出色的耐用性和稳定性,完全符合RoHS环保指令。

    技术参数


    - 工作电压 (VDS): 650V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 2.5Ω @ 10V (栅极电压)
    - 总栅极电荷 (Qg): 最大值 48nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 12nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 19nC
    - 连续栅极电压 (VGS): ±30V
    - 连续漏极电流 (ID): 3.8A @ TC=25°C
    - 最大功率耗散 (PD): 30W @ TC=25°C
    - 重复脉冲雪崩能量 (EAR): 6mJ
    - 最大结温 (TJ): -55°C 到 +150°C
    - 热阻 (RthJA): 最大 65°C/W
    - 封装形式: TO-220 Fullpak

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷: 简化驱动要求,降低功耗。
    - 高可靠性: 改善栅极、雪崩和动态dV/dt耐受性。
    - 全面电气参数: 包括电容、雪崩电压和电流完全被测定。
    - RoHS合规: 符合环保要求,适用于绿色制造和电子产品。

    应用案例和使用建议


    - 典型应用: 电源转换、电机驱动、照明系统等。
    - 使用建议: 确保电路设计中避免过高的瞬态温度影响,使用散热片以提高散热效率,确保电路连接稳固,减少寄生电感。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 与现有的多种电路和设备兼容。
    - 支持信息: 厂商提供详尽的技术文档和客户服务热线400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 无法启动?
    - A: 检查电源电压是否正确,确认驱动信号无误。
    2. Q: 过热问题?
    - A: 添加散热装置如散热片,减少电流密度。
    3. Q: 电气参数不匹配?
    - A: 参考数据表检查所有相关参数,确保符合要求。

    总结和推荐


    KIA4N60H MOSFET凭借其卓越的性能和广泛的应用范围,非常适合作为高性能电力电子应用的首选器件。其良好的可靠性、易于驱动的设计和全面的电气特性使其在市场上具有显著的竞争优势。强烈推荐给需要高电压、高可靠性的应用场景,如开关电源、电动工具和工业自动化等领域。
    这篇技术手册详细介绍了KIA4N60H N-Channel MOSFET的各项参数、优势及其适用的应用场景。通过对这些内容的综述,用户可以更准确地了解产品的特性和潜在用途。

KIA4N60H-VB参数

参数
配置 -
Id-连续漏极电流 4A
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.2Ω(mΩ)
FET类型 2个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 -
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

KIA4N60H-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KIA4N60H-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KIA4N60H-VB KIA4N60H-VB数据手册

KIA4N60H-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
2500+ ¥ 1.6556
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