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F1010EZL-VB TO262

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO262;N沟道;VDS=60V;ID =120A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=2.5V;具有高电压、高电流和低导通电阻的特点。适用于各种需要高功率、高效率的电子应用领域。
供应商型号: F1010EZL-VB TO262 TO262
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) F1010EZL-VB TO262

F1010EZL-VB TO262参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 120A
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ(mΩ)
最大功率耗散 -
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 -
长*宽*高 3.2mm*3.2mm*800μm
通用封装 TO-262
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

F1010EZL-VB TO262厂商介绍

VBsemi是深圳市微碧半导体有限公司旗下品牌,成立于2003年,专注于MOSFET的设计、生产和销售,产品包括MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN HEMT,应用于工业自动化、新能源、绿色照明及消费电子等领域。

在云汉芯城,用户可通过完整 MPN、产品类别或 BOM 查询 VBsemi/微碧半导体 相关型号,如 BSS84LT1G、IRF4905PBF、IRLML2502TRPBF、FDD4141 等,并进一步核对 datasheet、库存、MOQ/SPQ、交期、合规文件需求和可替代型号信息。

【采购提示】型号规格请以 datasheet 为准;库存、价格、MOQ/SPQ 和交期请以实时查询、RFQ 回复或销售确认为准。

F1010EZL-VB TO262数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 F1010EZL-VB TO262 F1010EZL-VB TO262数据手册

F1010EZL-VB TO262封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 42.75
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