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32N65M5-VB TO247

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;VDS=700V;ID =47A;RDS(ON)=80mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;可用于工业设备、电动汽车充电桩等需要高功率转换的场合,提供稳定的电力输出。
供应商型号: 32N65M5-VB TO247 TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 32N65M5-VB TO247

32N65M5-VB TO247概述

    产品概述

    产品简介


    32N65M5-VB 是一款适用于高压应用的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用E系列技术制造,具有快速体二极管特性。此产品广泛应用于电信、照明、消费及计算设备、工业焊接和电池充电、可再生能源系统(如太阳能逆变器)以及开关模式电源供应器(SMPS)等。该器件具有多种拓扑结构的应用能力,如LLC、零电压开关桥(ZVS)、三级逆变器以及AC/DC桥接电路。

    技术参数


    - 最大耐压(VDS): 750V @ TJ max.
    - 导通电阻(RDS(on)): 0.070Ω @ 25°C, VGS=10V
    - 总栅极电荷(Qg): 278nC max.
    - 输入电容(Ciss): 5892pF
    - 输出电容(Coss): 244pF
    - 反向传输电容(Crss): -4pF
    - 持续漏极电流(ID): 46A @ TC=25°C, VGS=10V; 29A @ TC=100°C
    - 脉冲漏极电流(IDM): 154A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 596mJ
    - 热阻(RthJA): 最大40°C/W
    - 工作温度范围: TJ, Tstg -55至+150°C
    应用案例
    - 服务器和电信电源供应器
    - 高强光灯(HID)和发光二极管(LED)照明
    - ATX电源供应器
    - 工业焊接及电池充电
    - 太阳能光伏逆变器

    产品特点和优势


    32N65M5-VB MOSFET采用先进的E系列技术制造,拥有低栅极电荷、低开关损耗、高耐压及良好的温度系数。它的快速体二极管减少了开关过程中的恢复时间(trr)和恢复电荷(Qrr),因此非常适合需要高速开关的应用。此外,这款MOSFET具有较低的RDS(on)值,在相同的栅极驱动下提供了更好的效率,使它成为高功率应用的理想选择。

    兼容性和支持


    32N65M5-VB MOSFET与多种电气特性和工作环境相兼容,可直接替换同类型号的产品而无需对电路进行大量修改。制造商提供详尽的技术支持文档,并设有客户服务热线400-655-8788,为客户提供全面的支持服务。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何测量器件的导通电阻?
    A: 可以通过施加指定的栅极电压和漏极电流来测量。例如,在VGS=10V时测量ID=22A下的RDS(on)。

    - Q: 器件的最大脉冲漏极电流是多少?
    A: 器件的最大脉冲漏极电流(IDM)为154A。但在实际应用中需要注意热设计以避免过温保护。
    使用建议
    对于需要高可靠性和高效能的应用,如数据中心电源供应系统,应确保适当的散热措施以延长器件寿命并提高可靠性。同时,建议根据具体应用需求调整栅极驱动电阻(Rg)以获得最佳的开关特性。

    总结和推荐


    32N65M5-VB MOSFET凭借其出色的电气特性和广泛的应用范围,非常适合高要求的应用场合。其在快速开关、低导通电阻方面的表现尤为突出,可以显著提升系统的整体性能。强烈推荐用于需要高性能、高稳定性的应用场合,特别是在高功率和高频开关的应用环境中。

32N65M5-VB TO247参数

参数
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 -
通道数量 1
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 47A
Vds-漏源极击穿电压 700V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ(mΩ)
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

32N65M5-VB TO247厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

32N65M5-VB TO247数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 32N65M5-VB TO247 32N65M5-VB TO247数据手册

32N65M5-VB TO247封装设计

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