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HM9N90F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;N沟道;VDS=900V;ID =7A;RDS(ON)=770mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;该器件的高电压和高电流特性使其非常适合用于电动车充电器中的功率开关,用于控制充电过程中的电流和电压,实现快速、高效的充电。
供应商型号: HM9N90F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HM9N90F-VB

HM9N90F-VB概述

    文章标题:N-Channel 900V(D-S)超级结功率MOSFET HM9N90F-VB技术手册解析

    1. 产品简介


    HM9N90F-VB 是一款由台湾VBsemi Electronics Co., Ltd.推出的N沟道900V(D-S)超级结功率MOSFET。这种电子元器件以其卓越的开关性能和高可靠性著称,被广泛应用于电源管理、逆变器、DC-DC转换器及电机控制等领域。产品采用TO-220 FULLPAK封装形式,具备强大的动态dv/dt能力、重复雪崩耐受能力和简单的驱动需求,同时符合RoHS环保标准。

    2. 技术参数


    以下是HM9N90F-VB的主要技术参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 900 | V |
    | 门限电压(VGS=0V) | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 通态电阻(VGS=10V) | RDS(on) | - | 0.95 | - | Ω |
    | 总栅极电荷(典型值) | Qg | - | 200 | - | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | 24 | - | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | - | 110 | - | nC |
    | 开启延迟时间(典型值) | td(on) | - | 19 | - | ns |
    | 关闭延迟时间(典型值) | td(off) | - | 120 | - | ns |
    | 关断时间(典型值) | tf | - | 39 | - | ns |
    | 额定电流(连续) | ID | - | 25°C(10V) | 100 | A |
    | 功耗 | PD | - | - | 65 | W |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | +150 | °C |

    3. 产品特点和优势


    HM9N90F-VB 的主要特点包括:
    - 快速开关:得益于低栅极电容和栅漏电荷设计,能够在高频下高效工作。
    - 易并联操作:通过降低静态导通电阻,减少了并联时的不均衡问题。
    - 重复雪崩耐受性:可在高达7.8A的重复雪崩电流下工作,适用于严苛的应用环境。
    - 环保合规:符合RoHS标准,适合绿色电子制造。
    这些特点使得HM9N90F-VB在现代电源管理中表现优异,能够显著提高系统效率并减少散热需求。

    4. 应用案例和使用建议


    HM9N90F-VB 可广泛应用于以下场景:
    - 电源管理系统:用于AC-DC转换器和DC-DC转换器的主开关管。
    - 逆变器电路:作为高效能的开关组件。
    - 电机控制:适合作为高效能电机驱动的功率元件。
    在使用过程中,建议根据具体负载条件调整驱动电路的电阻值,以达到最佳的开关性能。此外,在高功率应用中,需确保良好的散热设计,以避免因过热导致性能下降。

    5. 兼容性和支持


    HM9N90F-VB与主流的驱动IC和保护电路完全兼容,可直接替换同类产品。VBsemi提供详尽的技术文档和技术支持,帮助客户快速部署产品。此外,VBsemi拥有完善的售后服务体系,包括全球范围内7x24小时技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是用户可能遇到的一些问题及其解决方法:
    - 问题:开启时间不稳定
    解决方案:检查驱动电路的电阻值是否合适,必要时调整至推荐值。
    - 问题:发热严重
    解决方案:改善散热设计,例如增加散热片或选择更好的导热材料。
    - 问题:性能下降
    解决方案:检查是否存在过度老化或过载现象,及时更换损坏元件。

    7. 总结和推荐


    综上所述,HM9N90F-VB是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET,尤其适合需要快速开关和高效率的应用场景。其优越的雪崩耐受性、低导通电阻和简单驱动需求,使其在市场上具有显著的竞争优势。推荐在对成本敏感且追求高能效的设计中使用此产品。
    联系信息
    服务热线:400-655-8788
    官网地址:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)
    希望本文能够帮助您全面了解HM9N90F-VB的功能特性和适用场景。如果您有任何疑问,请随时联系我们的客服团队!

HM9N90F-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 770mΩ(mΩ)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 7A
通道数量 1
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 900V
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 2个N沟道
配置 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

HM9N90F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HM9N90F-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HM9N90F-VB HM9N90F-VB数据手册

HM9N90F-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 7.7739
100+ ¥ 7.1981
500+ ¥ 6.6223
1000+ ¥ 6.3343
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