处理中...

首页  >  产品百科  >  F9NK90Z-VB

F9NK90Z-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;N沟道;VDS=900V;ID =7A;RDS(ON)=770mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;该器件的高电压和高电流特性使其非常适合用于电动车充电器中的功率开关,用于控制充电过程中的电流和电压,实现快速、高效的充电。
供应商型号: F9NK90Z-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) F9NK90Z-VB

F9NK90Z-VB概述

    F9NK90Z-VB N-Channel 900 V (D-S) Super Junction Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    F9NK90Z-VB 是一款 N-Channel 900 V 超级结功率 MOSFET。它主要应用于高电压、大电流的开关电源和逆变电路中,能够提供快速的开关速度和稳定的电学性能。此器件具有动态 dv/dt 评级、重复雪崩评级、简单的驱动要求等特点,适用于各种工业控制、电源管理、电机驱动等领域。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 额定漏源电压 (VDS): 900 V
    - 阈值电压 (VGS(th)): 2.0 - 4.0 V
    - 漏极连续电流 (ID): 25 °C 时为 25 A(随温度线性变化)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 770 mJ
    - 最大功耗 (PD): 65 W (25 °C)
    - 动态参数
    - 总栅极电荷 (Qg): 200 nC
    - 输入电容 (Ciss): 3100 pF
    - 输出电容 (Coss): 800 pF
    - 反向转移电容 (Crss): 490 pF
    - 热参数
    - 热阻 (RthJA): 最大值 40 °C/W
    - 最大结温 (Tj): 150 °C
    - 存储温度范围 (Tstg): -55°C 至 +150°C

    3. 产品特点和优势


    F9NK90Z-VB 具有以下特点和优势:
    - 快速开关:高速度开关能力使其适合高频应用。
    - 易并联:通过简单的设计可实现多个器件并联使用。
    - 简单的驱动要求:对驱动电路的要求较低,便于集成到现有系统中。
    - RoHS 合规:符合欧盟 RoHS 指令,环保无铅。
    - 重复雪崩能力:具有优异的重复雪崩特性,能够在高功率应用中可靠工作。

    4. 应用案例和使用建议


    F9NK90Z-VB 主要用于高电压大电流的应用场合,例如:
    - 开关电源:用于电源转换器中,提高效率和稳定性。
    - 逆变器:适用于电机驱动和 UPS 系统中,提供可靠的电力输出。
    - 工业控制:在自动化设备中作为控制开关,确保精确的电流控制。
    使用建议:
    - 在设计中应注意散热,确保器件工作在推荐的工作温度范围内。
    - 使用低杂散电感的电路布局以减少寄生效应。

    5. 兼容性和支持


    F9NK90Z-VB 设计与现有标准 TO-220 FULLPAK 封装兼容,适用于大多数标准电路板。厂商提供了详细的技术支持,包括详细的电路设计指南和技术咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何确定器件的工作温度?
    - A: 查阅手册中的绝对最大额定值表,确保器件工作在 -55°C 至 +150°C 的温度范围内。

    - Q: 如何处理过高的工作温度?
    - A: 采用合适的散热措施,如增加散热片或使用散热风扇,确保结温不超出限制。

    7. 总结和推荐


    F9NK90Z-VB 是一款高性能的 N-Channel 900 V 超级结功率 MOSFET,具备出色的动态特性和良好的重复雪崩能力。其简化的驱动要求和优良的热性能使其成为各种高电压、大电流应用的理想选择。强烈推荐在需要高性能开关应用中使用此器件。

F9NK90Z-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 770mΩ(mΩ)
最大功率耗散 -
FET类型 2个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 7A
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 900V
配置 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

F9NK90Z-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

F9NK90Z-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 F9NK90Z-VB F9NK90Z-VB数据手册

F9NK90Z-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 7.7739
100+ ¥ 7.1981
500+ ¥ 6.6223
1000+ ¥ 6.3343
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 77.73
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336