处理中...

首页  >  产品百科  >  K29S50-VB

K29S50-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,500V,50A,RDS(ON),90mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V)封装:TO247\n凭借其高电压和高电流处理能力以及较低的导通电阻,适用于各种需要高效、高电压和高功率的应用,为电源管理、电机驱动和开关应用
供应商型号: K29S50-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K29S50-VB

K29S50-VB概述

    K29S50-VB N-Channel 500V Super Junction Power MOSFET

    产品简介


    K29S50-VB是一款N沟道500V(D-S)超级结功率MOSFET,专为开关电源(SMPS)、不间断电源系统(UPS)以及其他高频率硬开关电路设计。该产品以其低门极电荷(Qg)和低导通电阻(RDS(on))著称,确保在复杂驱动条件下的可靠性能。

    技术参数


    - 额定电压(VDS):500 V
    - 导通电阻(RDS(on)):VGS = 10 V时,RDS(on) = 0.080 Ω
    - 最大总门极电荷(Qg):350 nC
    - 最大栅源电荷(Qgs):85 nC
    - 最大栅漏电荷(Qgd):180 nC
    - 连续漏极电流(ID):TC = 25°C时为40 A;TC = 100°C时为25 A
    - 脉冲漏极电流(IDM):180 A
    - 单次脉冲雪崩能量(EAS):910 mJ
    - 重复雪崩电流(IAR):40 A
    - 重复雪崩能量(EAR):51 mJ
    - 最大功率耗散(PD):TC = 25°C时为530 W
    - 峰值二极管恢复电压(dV/dt):9.0 V/ns
    - 工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg):-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    1. 低门极电荷:这降低了驱动要求,提高了系统的可靠性。
    2. 增强的栅极、雪崩和动态dV/dt耐受性:增强了在恶劣环境下的耐用性。
    3. 全面的电容和雪崩电压及电流特性:提供了更精确的参数控制。
    4. 低导通电阻:确保在高电流条件下的低损耗。
    5. 符合RoHS指令2002/95/EC:环保材料的使用保证了产品的安全性。

    应用案例和使用建议


    K29S50-VB广泛应用于各种电力转换应用中,如开关电源(SMPS)和不间断电源系统(UPS)。在使用这类器件时,需注意以下几点:
    - 在高频开关应用中,尽量降低寄生电感和寄生电容的影响。
    - 选择合适的栅极驱动电阻(Rg),以达到理想的开关时间和能耗平衡。
    - 注意避免过高的dV/dt引起的电压尖峰,特别是在硬开关环境中。

    兼容性和支持


    K29S50-VB在标准封装TO-274AA下可直接与其他同类设备连接,无需特殊适配。VBsemi公司提供详尽的技术支持文档,涵盖安装、测试、故障排除等方面的内容。此外,公司还通过其客户服务热线(400-655-8788)提供及时的技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定适当的栅极驱动电压?
    - 解答:根据数据表中的栅极-源极阈值电压(VGS(th))选择适当的驱动电压,一般推荐使用10V以上的驱动电压。

    - 问题:如何测量器件的雪崩能量?
    - 解答:通过图12c的曲线可以确定最大雪崩能量,使用专业测试仪器和电路进行实际测量。

    - 问题:器件的最大工作温度是多少?
    - 解答:器件的工作结温范围为-55°C至+150°C,存储温度同样在此范围内。

    总结和推荐


    K29S50-VB N-Channel 500V Super Junction Power MOSFET凭借其卓越的性能和广泛应用范围,在现代电力转换设备中表现出色。对于需要高效能、高可靠性及低功耗的应用场景,这款产品无疑是最佳选择。我们强烈推荐此款MOSFET用于高频率、高效率的应用环境中。

K29S50-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 50A
Vds-漏源极击穿电压 500V
FET类型 2个N沟道
配置 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ(mΩ)
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K29S50-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K29S50-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K29S50-VB K29S50-VB数据手册

K29S50-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 12.5579
100+ ¥ 11.6277
500+ ¥ 10.6975
900+ ¥ 10.2324
库存: 30000
起订量: 5 增量: 300
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 62.78
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831