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3N40K3-VB SOT223-3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。SOT223;N沟道;VDS=650V;ID =4A;RDS(ON)=2000mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=2500mΩ@VGS=4.5V;VGS=±30V;Vth=3.5V;在汽车电子系统中,如车载电源管理、车灯控制等方面有应用。
供应商型号: 3N40K3-VB SOT223-3 SOT223-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 3N40K3-VB SOT223-3

3N40K3-VB SOT223-3概述


    产品简介


    产品名称:3N40K3 N-Channel MOSFET
    产品类型:高压N沟道功率MOSFET
    主要功能:用于电源转换、电机控制、电池充电等领域。具备高可靠性、低损耗和简单的驱动要求。
    应用领域:广泛应用于工业自动化、新能源汽车、通信电源及服务器电源等高可靠性和高性能需求的应用场合。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):650 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):在VGS = 10 V时为2.1 Ω
    - 最大总栅极电荷 (Qg):48 nC
    - 栅极-源极电荷 (Qgs):12 nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd):19 nC
    - 持续漏极电流 (ID):3.0 A(TC = 25 °C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):16 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):325 mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR):4 A
    - 重复雪崩能量 (EAR):6 mJ
    - 最大功耗 (PD):60 W(TC = 25 °C)
    - 最大结到环境热阻 (RthJA):65 °C/W
    - 最大结到壳热阻 (RthJC):2.1 °C/W
    - 结温及存储温度范围 (TJ, Tstg):-55 °C 到 +150 °C

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷 (Qg):简化驱动要求,降低驱动电路的复杂度。
    - 改进的栅极、雪崩和动态dv/dt鲁棒性:提高了在极端条件下的可靠性。
    - 全面表征的电容和雪崩电压及电流:确保一致性和可靠性。
    - 符合RoHS指令:绿色环保,满足环保要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例:在服务器电源系统中,该MOSFET可以作为主开关管,进行高效的电源转换。在工业自动化控制系统中,作为电机驱动器的控制单元。
    使用建议:
    - 在高频率应用中,考虑散热问题,确保良好的热管理。
    - 使用合适的栅极电阻,以控制开关速度,避免高频下的振铃效应。
    - 确保驱动电路的电平适配,特别是在逻辑电平应用中。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于大多数高压电源转换和电机控制应用,可与其他标准电源组件配合使用。
    - 支持和服务:由台湾VBsemi提供支持,包括详细的文档和快速响应的技术支持服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题:MOSFET发热严重
    - 解决方案:优化散热设计,增加散热片或风扇冷却。
    - 问题:驱动信号不稳定
    - 解决方案:使用稳定的电源和正确的栅极电阻值,避免信号干扰。
    - 问题:过电流保护
    - 解决方案:增加外部保护电路,如快速熔断器或热敏电阻。

    总结和推荐


    总结:3N40K3 N-Channel MOSFET具有出色的可靠性、低导通电阻和简易的驱动需求。它在各种高要求应用中表现出色,适合工业自动化、新能源汽车及通信电源系统等领域。
    推荐:强烈推荐使用此产品。它不仅满足高效能和高可靠性要求,还能通过其优秀的热管理和简单易用的设计显著提升系统的整体性能。

3N40K3-VB SOT223-3参数

参数
通道数量 1
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 4A
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 2个N沟道
最大功率耗散 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2Ω(mΩ)
长*宽*高 7.3mm*6.8mm*1.9mm
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

3N40K3-VB SOT223-3厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

3N40K3-VB SOT223-3数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 3N40K3-VB SOT223-3 3N40K3-VB SOT223-3数据手册

3N40K3-VB SOT223-3封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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