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K16N60W-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;VDS=650V;ID =20A;RDS(ON)=160mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;在工业自动化领域,可用于控制器、伺服驱动器和工业电源等设备,以实现高效能源转换和精确控制。
供应商型号: K16N60W-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K16N60W-VB

K16N60W-VB概述

    K16N60W-VB N-Channel 650V Super Junction MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    K16N60W-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的 N-Channel 650V 超级结(Super Junction)MOSFET,适用于多种工业及消费电子领域。它采用 TO-247AC 封装,具有优秀的开关特性和较低的导通电阻(RDS(on)),特别适合于高功率应用场合,如电源转换、电池充电器及太阳能逆变器等。

    2. 技术参数


    以下是K16N60W-VB的技术参数汇总:
    - 最大漏源电压 (VDS):650V
    - 最大栅源电压 (VGS):±30V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150°C):
    - TC = 25°C时 2A
    - TC = 100°C时 13A
    - 脉冲漏极电流:53A
    - 最大功率耗散:208W
    - 工作结温和存储温度范围:-55°C 到 +150°C
    - 反向恢复时间 (trr):160ns
    - 栅电荷 (Qg):71nC
    - 栅源电荷 (Qgs):14nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):33nC
    - 有效输出电容 (Co):
    - 相关能量 (Co(er)):84pF
    - 相关时间 (Co(tr)):293pF
    - 开关特性:
    - 开启延迟时间 (td(on)):22.4ns
    - 上升时间 (tr):34.68ns
    - 关断延迟时间 (td(off)):68.1ns
    - 下降时间 (tf):42ns
    - 输入电容 (Ciss):2322pF
    - 输出电容 (Coss):105pF
    - 反向转移电容 (Crss):-4pF

    3. 产品特点和优势


    - 低开关损耗:通过减少反向恢复时间和反向恢复电荷(Qrr),降低开关损耗。
    - 低输入电容:低Ciss有助于降低驱动功率。
    - 超低栅极电荷:Qg 仅为71nC,减少开关损耗。
    - 高可靠性:重复脉冲和单脉冲雪崩耐受能力达到367mJ,确保长期可靠运行。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电信:用于服务器和通信电源,提供高效率的电能转换。
    - 照明:用于高强度放电灯 (HID) 和荧光灯照明系统,确保稳定的光源控制。
    - 消费和计算:应用于ATX电源,确保电脑电源转换的高效性。
    - 工业:焊接和电池充电器设备中的电源管理,保证稳定的工作状态。
    - 可再生能源:应用于光伏逆变器,确保高效的能量转换。
    - 开关电源:适用于各种开关电源设计,提高转换效率。
    使用建议:
    - 在选择合适的驱动电路时,考虑栅极电荷和驱动电阻的匹配。
    - 在高温环境下使用时,需注意散热设计以保持性能稳定。
    - 确保栅极驱动电压不超过额定值,避免击穿损坏。

    5. 兼容性和支持


    K16N60W-VB MOSFET与同类N-Channel MOSFET产品兼容。公司提供详细的技术支持和售后服务,如有任何疑问,可联系服务热线 400-655-8788 或访问官网 www.VBsemi.com 获取更多信息。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:开机时MOSFET过热。
    - 解决方案:检查散热片安装是否正确,增加散热片面积,降低功耗或优化驱动电路。
    - 问题2:驱动波形不理想。
    - 解决方案:调整驱动电阻,确保足够的栅极电荷量,减小寄生电感。
    - 问题3:MOSFET出现失效。
    - 解决方案:确认是否过载或瞬态过压情况发生,检查散热设计是否合理。

    7. 总结和推荐


    K16N60W-VB是一款高性能的N-Channel 650V超级结MOSFET,具备出色的开关性能和低损耗特性。它广泛适用于多种工业和消费电子应用,尤其是在高功率转换和高效能应用中表现优异。鉴于其卓越的性能和可靠性,强烈推荐在需要高效率电源管理和转换的应用中使用。

K16N60W-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 1
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 20A
配置 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 160mΩ(mΩ)
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K16N60W-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K16N60W-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K16N60W-VB K16N60W-VB数据手册

K16N60W-VB封装设计

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