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VBFB2101M

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO251;P沟道;VDS=-100V;ID =-16A;RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=120mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-2V;具有多种特性和应用领域,包括电源管理、汽车电子和家用电器控制等,是一款功能强大且多用途的器件,可广泛应用于各种电子设备和系统中。
供应商型号: VBFB2101M TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBFB2101M

VBFB2101M概述

    P-Channel 100V MOSFET 技术手册

    产品简介


    P-Channel 100V MOSFET(VBFB2101M) 是一款高性能的P沟道功率MOSFET。该产品主要用于电源开关和DC/DC转换器等领域。它采用了先进的TrenchFET®技术,具有高可靠性、低导通电阻和快速开关速度等优点。适用于各种需要高效能和高可靠性的电力电子应用。

    技术参数


    - 基本规格
    - 漏源电压(VDS):100V
    - 门极阈值电压(VGS(th)):-1V 至 -2.5V
    - 零门电压漏电流(IDSS):最大 -50µA
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):典型值 0.100Ω(VGS = -10V, ID = -3.6A),典型值 0.120Ω(VGS = -4.5V, ID = -3.4A)
    - 电气特性
    - 持续漏极电流(ID):最大值 -16A(TC=25°C),最大值 -14A(TC=70°C)
    - 单脉冲漏极电流(IDM):最大值 -50A
    - 脉冲单次雪崩电流(IAS):最大值 -18A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):16.2mJ
    - 热特性
    - 热阻抗(Junction-to-Ambient):50°C/W
    - 热阻抗(Junction-to-Case):3.9°C/W
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDS):最大值 -100V
    - 门极电压(VGS):最大值 ±20V
    - 操作温度范围:-55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    1. 高效能:高阈值电压确保在高温环境下也能稳定工作。
    2. 高可靠性:100% Rg 和 UIS 测试保证了产品的质量和可靠性。
    3. 低导通电阻:导通电阻小,可以有效降低功耗和温升。
    4. 快速开关:具备快速开关特性,适用于高频开关应用。

    应用案例和使用建议


    应用场景:P-Channel 100V MOSFET 主要应用于需要高效率和高可靠性的电源管理领域,如电池充电电路、DC/DC转换器和电源开关等。
    使用建议:
    1. 散热设计:由于其高电流承载能力,必须注意散热设计,确保良好的散热条件,避免过热。
    2. 驱动电路设计:选择合适的门极驱动电路以确保快速可靠的开关性能。
    3. 保护措施:考虑添加保护二极管或其他防护措施,以防止瞬态电压损坏器件。

    兼容性和支持


    P-Channel 100V MOSFET 支持与其他标准电子元件的良好兼容性,便于集成到各种系统中。VBsemi 提供详细的技术支持和售后服务,包括在线技术支持和问题解答等,确保用户能够顺利使用和维护产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:长时间使用后发热严重。
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,确保良好的空气流通和散热材料使用。
    2. 问题:门极驱动信号不稳定。
    - 解决方案:调整门极驱动电路,增加滤波电容或使用更稳定的电源供应。
    3. 问题:输出电流不足。
    - 解决方案:检查外围电路是否正常,确保足够的门极驱动信号。

    总结和推荐


    总体评价:P-Channel 100V MOSFET(VBFB2101M)是一款高性能的P沟道功率MOSFET,具有低导通电阻、高可靠性、快速开关等特点。它在电源管理和DC/DC转换器应用中表现出色。
    推荐使用:我们强烈推荐这款产品用于需要高效能和高可靠性的电力电子应用中。无论是电池充电电路还是DC/DC转换器,P-Channel 100V MOSFET都能提供出色的性能和可靠性保障。

VBFB2101M参数

参数
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Id-连续漏极电流 16A
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 2个P沟道
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ(mΩ)
栅极电荷 -
长*宽*高 11.8mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBFB2101M厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBFB2101M数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBFB2101M VBFB2101M数据手册

VBFB2101M封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.6556
4000+ ¥ 1.5836
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型号 价格(含增值税)
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