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FDB14N30-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO263;N沟道;VDS=500V;ID =18A;RDS(ON)=240mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于高功率电子设备和模块。其特点包括高额定漏极-源极电压、低漏极电流和可靠性,适用于高功率电子设备和模块,包括工业电源模块、电动汽车驱动器和太阳能逆变器等领域。
供应商型号: FDB14N30-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDB14N30-VB

FDB14N30-VB概述

    FDB14N30 N-Channel 500-V (D-S) Super Junction MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FDB14N30 是一种N沟道超级结MOSFET,设计用于高电压和高效能的应用场合。该产品主要用于计算机领域,特别是ATX电源供应器。FDB14N30具备低阈值电压和高可靠性,能够在宽广的工作温度范围内稳定运行。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 500 | - | - | V |
    | 阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 门极输入电阻 | Rg | - | - | 0.85 | Ω |
    | 通态漏源电阻 | RDS(on) | - | 0.192 | - | Ω |
    | 总门极电荷 | Qg | - | 33 | 66 | nC |
    | 输入电容 | Ciss | - | 1162 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 51 | - | pF |
    绝对最大额定值:
    - 漏源电压 | VDS | 500 | V
    - 门极源极电压 | VGS | ±30 | V
    - 连续漏极电流(TJ = 150°C) | ID | 18 | A
    - 脉冲漏极电流 | IDM | 50 | A
    - 单脉冲雪崩能量 | EAS | 186 | mJ
    - 最大功率耗散 | PD | 206 | W
    - 工作结温及存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 to +150 | °C

    3. 产品特点和优势


    - 低门极电荷 (Qg):降低开关损耗,提高效率。
    - 低输入电容 (Ciss):减少高频干扰,提升稳定性。
    - 低漏源导通电阻 (RDS(on)):提高电流承载能力,适用于高压应用。
    - 雪崩耐量 (UIS):增强抗瞬时过压的能力。
    - 高可靠性:能够在恶劣条件下稳定工作。

    4. 应用案例和使用建议


    FDB14N30 主要应用于计算机领域,特别是ATX电源供应器。在这些应用中,它能够有效地管理高电压和大电流,保证系统的可靠运行。
    使用建议:
    - 确保电路设计中的散热良好,特别是在高功率运行时。
    - 选用合适的门极驱动器以避免开关速度过快导致的过压问题。
    - 在PC银箱/ATX电源供应器中使用时,应关注高温下的热管理。

    5. 兼容性和支持


    FDB14N30 与大多数常见的电源转换器和其他相关电路兼容。供应商提供技术支持和保修服务,确保客户在使用过程中获得帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1:如何处理高温度下的电流波动?
    - 解决方案:使用有效的散热措施,如增加散热片或采用液冷方案。
    问题2:如何改善电路中的高频干扰?
    - 解决方案:选择低输入电容的MOSFET,并采用滤波电容来吸收高频噪声。

    7. 总结和推荐


    FDB14N30 是一款高性能、高可靠的N沟道超级结MOSFET,特别适合于计算机领域的高电压和高电流应用。它的低输入电容和低门极电荷使其在高频操作下表现出色,同时具备优异的雪崩耐量和高温稳定性。对于需要高效率和可靠性的应用,我们强烈推荐使用这款产品。

FDB14N30-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 -
配置 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 240mΩ(mΩ)
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 18A
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 500V
长*宽*高 16mm*10.8mm*4.9mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FDB14N30-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDB14N30-VB数据手册

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FDB14N30-VB封装设计

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