处理中...

首页  >  产品百科  >  B7NK80Z-VB TO263

B7NK80Z-VB TO263

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO263;N沟道;VDS=800V;ID =7A;RDS(ON)=850mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;太阳能逆变器中,该产品可用于将光伏电池板产生的直流电转换为交流电,以供电网使用。
供应商型号: B7NK80Z-VB TO263 TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) B7NK80Z-VB TO263

B7NK80Z-VB TO263概述

    B7NK80Z TO263 Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    B7NK80Z TO263 是一种 N-沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其主要功能包括提供低导通电阻(RDS(on))和高耐压能力(VDS)。这类 MOSFET 广泛应用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及工业照明等领域。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术规格和性能参数:
    - 耐压能力:最高耐压值为 800V。
    - 导通电阻:最大导通电阻为 0.85Ω(在 VGS=10V、25°C 条件下)。
    - 总栅极电荷:最大总栅极电荷为 11nC。
    - 输入电容:最大输入电容为 130pF(Ciss)。
    - 脉冲漏电流:最大脉冲漏电流为 5.9A(在 TC=25°C 条件下)。
    - 反向二极管电压降:在 25°C 下为 1.4V(VSD)。
    - 热阻抗:最大结到环境热阻抗为 72°C/W。

    产品特点和优势


    B7NK80Z TO263 的核心优势在于其低导通电阻和高效的电性能。这些特点使其能够显著降低开关损耗,提高系统效率。此外,它的超低栅极电荷(Qg)和低输入电容(Ciss)使得它在高速开关应用中表现优异。

    应用案例和使用建议


    在服务器和电信电源中,B7NK80Z TO263 能够有效降低系统的整体功耗,提高能效。在工业照明应用中,尤其是在 HID 和荧光灯控制中,它可以实现更加稳定的电压输出,减少电力浪费。
    使用建议:
    - 在设计电路时,确保栅极驱动电压高于门限电压(如 2V 至 4V)。
    - 尽量减少电路中的杂散电感,以避免电压尖峰。
    - 使用良好的接地平面,提高电路的稳定性和散热效果。

    兼容性和支持


    B7NK80Z TO263 与市场上大多数开关电源控制器兼容。制造商提供了详细的技术文档和支持服务,确保用户能够在应用过程中获得必要的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 栅极驱动电压不足导致漏电流增加
    - 解决方案:检查并调整栅极驱动电压,确保其高于门限电压。
    2. 工作温度过高
    - 解决方案:增加散热措施,如使用散热片或优化散热路径。
    3. 输出电流不稳定
    - 解决方案:检查电路设计,确保合适的驱动电流和负载匹配。

    总结和推荐


    综上所述,B7NK80Z TO263 以其出色的低导通电阻和高耐压能力,成为服务器和电信电源、开关模式电源、PFC 以及工业照明的理想选择。其高效、稳定的性能和广泛的兼容性使其在市场上具备强大的竞争力。因此,强烈推荐在相关应用中使用 B7NK80Z TO263。
    如需进一步技术支持或具体应用指导,请联系制造商的服务热线:400-655-8788。

B7NK80Z-VB TO263参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
配置 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 850mΩ(mΩ)
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 2个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 800V
Id-连续漏极电流 7A
长*宽*高 16mm*10.8mm*4.9mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

B7NK80Z-VB TO263厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

B7NK80Z-VB TO263数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 B7NK80Z-VB TO263 B7NK80Z-VB TO263数据手册

B7NK80Z-VB TO263封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 9.7175
100+ ¥ 8.9977
500+ ¥ 8.2779
1000+ ¥ 7.9179
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 97.17
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336