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IRF7754TRPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TSSOP8;P+P沟道;VDS=-20V;ID =-7.5A;RDS(ON)=13mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=18mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-1.2V;适用于电池充放电保护、开关电源等场景。
供应商型号: IRF7754TRPBF-VB TSSOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF7754TRPBF-VB

IRF7754TRPBF-VB概述


    产品简介


    产品名称: IRF7754TRPBF
    产品类型: 双P沟道20V MOSFET
    主要功能: 用于开关调节器、高电流负载开关和笔记本电脑
    应用领域: 适配器开关、高电流负载开关、笔记本电脑

    技术参数


    - 最大栅极-源极电压 (VGS): ±12 V
    - 最大漏极-源极电压 (VDS): 20 V
    - 最大连续漏极电流 (ID):
    - TC = 25°C 时为 -7.5 A
    - TC = 70°C 时为 -6.0 A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): -30 A
    - 最大连续源-漏二极管电流 (IS):
    - TC = 25°C 时为 -4.1 A
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 11.25 mJ
    - 最大功率耗散 (PD):
    - TC = 25°C 时为 5 W
    - TC = 70°C 时为 3.2 W
    - 热阻率 (RthJA): 最大值为 50 °C/W
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 到 150°C
    - 开启时间延迟 (td(on)):
    - VDD = -10 V, RL = 2 Ω, ID ≈ -5 A, VGEN = -8 V, Rg = 1 Ω 时为 7-14 ns
    - 关断时间延迟 (td(off)): 101-200 ns
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = -4.5 V, ID = -7 A 时为 0.013 Ω
    - VGS = -2.5 V, ID = -6 A 时为 0.018 Ω
    - VGS = -1.8 V, ID = -3 A 时为 0.032 Ω
    - 输入电容 (Ciss): 2380 pF (VDS = -10 V, VGS = 0 V)
    - 输出电容 (Coss): 340 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 280 pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 20-35 nC (VDS = -10 V, VGS = -4.5 V, ID = -5 A)

    产品特点和优势


    - 环保材料: 符合IEC 61249-2-21标准,无卤素。
    - 卓越的性能: 采用TrenchFET®技术,保证可靠性。
    - 全面测试: 100% Rg测试和100% UIS测试确保产品质量。
    - 环保合规: 符合RoHS指令2002/95/EC。
    - 高可靠性: 在高温(150°C)和低温(-55°C)环境下仍能稳定工作。
    - 低导通电阻: 低至0.013 Ω,实现高效能量转换。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 适配器开关: IRF7754TRPBF适用于需要高可靠性和高效率的开关调节器。
    - 笔记本电脑: 作为高电流负载开关使用,能够满足其复杂的工作要求。
    使用建议:
    - 在选择合适的驱动电路时,应确保VGS电压不超过±12 V。
    - 考虑到散热问题,建议使用外部散热片来降低器件的温度。
    - 为了提高效率,在设计电路时应尽量减少总栅极电荷(Qg),以缩短开关时间。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - IRF7754TRPBF具有良好的通用性,可与多种电路板和电源管理系统兼容。
    - 针对不同的应用场景,用户可以根据手册中的推荐参数进行调整。
    厂商支持:
    - VBsemi提供详细的用户手册和技术支持,确保用户在使用过程中能够得到及时帮助。
    - 客户可以通过公司网站或客户服务热线(400-655-8788)获取更多资料和支持。

    常见问题与解决方案


    常见问题1: 器件工作温度超出正常范围怎么办?
    解决方案: 使用外部散热片降低器件温度;确保环境温度控制在-55°C到150°C之间。
    常见问题2: 如何避免过高的栅极-源极电压?
    解决方案: 确保驱动电路设置正确,VGS电压不应超过±12 V。使用适当的栅极电阻(Rg)可以保护器件免受过压影响。
    常见问题3: 如何防止过高的功率耗散?
    解决方案: 设计合理的散热系统,如添加散热片或使用冷却风扇。确保电源管理系统能够有效监控和管理器件的功耗。

    总结和推荐


    综合评估:
    - 优点:
    - 高可靠性和长寿命,能够适应极端工作条件。
    - 低导通电阻,提高能源效率。
    - 100% Rg测试和100% UIS测试确保产品的质量。
    - 无卤素和符合RoHS标准,绿色环保。
    - 缺点:
    - 由于是P沟道MOSFET,某些应用可能需要更多的外部组件。
    推荐使用:
    - IRF7754TRPBF是一款高性能、可靠的双P沟道20V MOSFET,适合用于适配器开关、高电流负载开关和笔记本电脑。它具备出色的性能和广泛的应用前景,强烈推荐在相关应用中使用。
    通过本文的技术分析和应用场景探讨,相信读者能够更好地了解并应用IRF7754TRPBF这款MOSFET产品。

IRF7754TRPBF-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 20V
配置 -
通道数量 2
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V
Rds(On)-漏源导通电阻 13mΩ(mΩ)
栅极电荷 -
FET类型 2个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 7.5A
Vgs-栅源极电压 -
长*宽*高 6.7mm*3.2mm*1.3mm
通用封装 TSSOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF7754TRPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF7754TRPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF7754TRPBF-VB IRF7754TRPBF-VB数据手册

IRF7754TRPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.3111
3000+ ¥ 3.1672
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