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54NM65ND-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。生产的高性能单极性N型功率半导体器件,具有优异的高压和高功率特性。其采用SJ_Multi-EPI技术,配备TO247封装,适用于各种电力控制和转换应用。该产品具有可靠性高、性能稳定等优点,广泛应用于工业、能源等领域。TO247;N沟道,650V;47A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: 54NM65ND-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 54NM65ND-VB

54NM65ND-VB概述


    产品简介


    54NM65ND-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道650V超级结功率MOSFET。该器件具备低导通电阻(RDS(on))和超低栅极电荷(Qg),适用于多种电力电子应用,如服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、照明系统(高亮度放电灯HID和荧光灯)、工业设备(焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器和可再生能源)以及太阳能光伏逆变器等。

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 700 | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.06 | - | Ω |
    | 栅极电荷 | Qg | 27 | 182 | 300 | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | 46 | - | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | - | 79 | - | nC |
    | 开启延迟时间 | td(on) | - | 47 | - | ns |
    | 关闭延迟时间 | td(off) | - | 156 | - | ns |
    | 反向恢复时间 | trr | - | 753 | - | ns |
    | 反向恢复电荷 | Qrr | - | 14 | - | μC |

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷(Qg):该产品具有非常低的栅极电荷,有助于减少开关损耗。
    2. 高效率:低导通电阻(RDS(on))和超低栅极电荷(Qg)使得在开关模式电源中实现更高的效率成为可能。
    3. 适应性强:该器件可以承受高达700V的漏源电压,适合各种高压应用。
    4. 可靠性和稳定性:绝对最大额定值确保了产品在极端条件下的稳定性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:适合高效率的电源设计,提高系统整体能效。
    - 开关模式电源(SMPS):适合用于高频开关电源,提高转换效率。
    - 照明:适用于高亮度放电灯(HID)和荧光灯的驱动电路。
    - 工业设备:可用于焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器等领域。
    使用建议:
    - 确保散热良好,避免因过热导致器件损坏。
    - 在开关模式下操作时,注意选择合适的栅极驱动电阻,以优化开关时间和减少损耗。
    - 根据应用要求选择合适的电压等级和电流能力。

    兼容性和支持


    该产品采用TO-247AC封装,符合RoHS和无卤素标准,适合大多数现代电力电子设计。VBsemi公司提供了详尽的技术支持,包括产品手册和设计指南,以帮助客户正确使用和集成到他们的系统中。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品在高温环境下工作不稳定。
    解决方案:检查散热设计,确保在高环境温度下器件仍能正常工作。
    2. 问题:产品开启延迟时间较长。
    解决方案:调整栅极驱动电阻,以缩短开启延迟时间并降低导通损耗。
    3. 问题:产品在高频开关时发热严重。
    解决方案:优化电路设计,减少寄生电感,并选择合适频率以降低开关损耗。

    总结和推荐


    54NM65ND-VB 是一款高性能的N沟道650V超级结功率MOSFET,具有低栅极电荷和高效率的特点,非常适合用于各类高效率电源转换器。其广泛的适用范围和优良的可靠性使其成为工业和商业应用的理想选择。鉴于其出色的技术参数和多功能性,强烈推荐在需要高效能电力转换的应用中使用此产品。

54NM65ND-VB参数

参数
通道数量 1
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 47A
配置 -
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 75mΩ(mΩ)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

54NM65ND-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

54NM65ND-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 54NM65ND-VB 54NM65ND-VB数据手册

54NM65ND-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 16.611
500+ ¥ 15.2821
900+ ¥ 14.6177
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