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KHB4D0N80P1-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220;N沟道;VDS=850V;ID =4A;RDS(ON)=2700mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;可以应用于电机控制模块和工业自动化设备中的电源开关和驱动电路,实现高效、稳定的工业生产过程。
供应商型号: KHB4D0N80P1-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KHB4D0N80P1-VB

KHB4D0N80P1-VB概述

    KHB4D0N80P1 Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    KHB4D0N80P1 是一种高压 N-通道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电力转换和控制应用。它采用 TO-220AB 封装,提供出色的动态 dv/dt 额定值、重复雪崩额定值和快速开关能力,简化了并联操作并降低了驱动要求。该产品符合 RoHS 指令 2002/95/EC 和无卤素标准 IEC 61249-2-21 的定义。

    2. 技术参数


    - 电压参数
    - 漏源击穿电压 (VDS): 850 V
    - 门源阈值电压 (VGS(th)): 2.0 - 4.0 V
    - 零门电压漏电流 (IDSS): ≤ 100 μA
    - 电流参数
    - 连续漏极电流 (ID): 4.1 A (TC = 25 °C),2.6 A (TC = 100 °C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 16 A
    - 最大雪崩能量 (EAS, EAR): 260 mJ (非重复),13 mJ (重复)
    - 电阻参数
    - 导通电阻 (RDS(on)): 2.7 Ω (VGS = 10 V, ID = 2.5 A)
    - 输入电容 (Ciss): 1300 pF
    - 输出电容 (Coss): 310 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 190 pF
    - 热阻参数
    - 结至环境热阻 (RthJA): -62 °C/W
    - 结至散热片热阻 (RthCS): 0.50 °C/W
    - 其他参数
    - 最高结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55 °C 到 +150 °C
    - 峰值二极管恢复 dv/dt: 2.0 V/ns

    3. 产品特点和优势


    - 环保特性:符合无卤素标准 IEC 61249-2-21 和 RoHS 指令。
    - 高性能:具有高重复雪崩额定值和快速开关能力。
    - 易于并联:简化了并联操作。
    - 低驱动要求:只需简单的驱动电路。
    - 可靠性:具有优秀的抗 dv/dt 能力。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 电动汽车充电器:用于功率转换。
    - 工业逆变器:提高系统效率。
    - 通信电源:确保稳定的电源供应。
    - 使用建议:
    - 散热管理:为了防止过热,应确保良好的散热条件。
    - 并联操作:注意并联时的均流措施,以避免电流不均衡。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:可与其他标准 MOSFET 和电源设备兼容。
    - 支持:制造商提供详尽的技术支持和售后服务,包括在线文档和应用指南。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:高温下电流下降。
    - 解决方法:使用更好的散热设计,如增加散热片或改善空气流动。

    - 问题2:开关损耗过高。
    - 解决方法:优化驱动信号频率,选择更低的 RDS(on) 产品,或使用外部栅极电阻。

    7. 总结和推荐


    KHB4D0N80P1 是一款高性能的 N-通道 MOSFET,适用于各种高可靠性应用。其环保特性、优异的热性能和可靠的操作使其成为工业和汽车应用的理想选择。推荐在需要高可靠性、高性能和环保特性的电力电子系统中使用此产品。
    如果您有任何疑问或需要更多详细信息,请联系我们的客户服务团队:400-655-8788。

KHB4D0N80P1-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
FET类型 2个N沟道
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.7Ω(mΩ)
配置 -
Id-连续漏极电流 4A
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 850V
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

KHB4D0N80P1-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KHB4D0N80P1-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KHB4D0N80P1-VB KHB4D0N80P1-VB数据手册

KHB4D0N80P1-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.8594
100+ ¥ 4.4995
500+ ¥ 4.3194
1000+ ¥ 4.1395
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型号 价格(含增值税)
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