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IRFP460CPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO3P;N沟道;VDS=600V;ID =20A;RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;用于LED照明产品中的控制器模块,提供LED灯珠所需的电力输出。
供应商型号: IRFP460CPBF-VB TO-3PN
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFP460CPBF-VB

IRFP460CPBF-VB概述

    IRFP460CPBF-VB 技术手册解析

    1. 产品简介


    IRFP460CPBF-VB 是一款N沟道超级结MOSFET,由台湾VBsemi Electronics Co., Ltd.生产。这种高性能MOSFET适用于多种应用领域,如电信、照明、消费电子、工业焊接及可再生能源系统中的太阳能光伏逆变器。它具有出色的开关性能和低损耗特性,广泛用于各类开关模式电源供应系统(SMPS)。

    2. 技术参数


    - 电压参数
    - 最大漏源电压(VDS):600V
    - 最大栅源电压(VGS):±30V
    - 最大脉冲漏电流(IDM):53A
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS):367mJ
    - 静态参数
    - 在25℃时的导通电阻(RDS(on)):0.19Ω(在VGS=10V条件下)
    - 输入电容(Ciss):最大值为2322pF(VGS=0V,VDS=100V,f=1MHz)
    - 总栅极电荷(Qg):最大值为106nC(VGS=10V,ID=11A,VDS=520V)
    - 动态参数
    - 反向恢复时间(trr):最大值为160ns(TJ=25℃,IF=IS=11A,dI/dt=100A/μs,VR=25V)
    - 反向恢复电荷(Qrr):最大值为1.2μC
    - 其他参数
    - 有效输出电容(Co(er)):最大值为84pF(VDS=0V至520V,VGS=0V)
    - 静态反向漏电流(IGSS):最大值为±100nA(VGS=±20V)

    3. 产品特点和优势


    IRFP460CPBF-VB 具有多项显著的优势:
    - 低损耗:低门极电荷(Qg)和快速反向恢复时间(trr),显著减少了开关过程中的损耗。
    - 高效率:由于低阈值电压(VGS(th))和低导通电阻(RDS(on)),使得整体转换效率更高。
    - 可靠性强:具有超高的单脉冲雪崩能量耐受能力(EAS),确保在极端条件下的稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    IRFP460CPBF-VB 的应用广泛,特别适用于以下场景:
    - 电信领域:服务器和电信电源系统中,确保高效且稳定的电力供应。
    - 照明系统:高压钠灯和荧光灯泡等高强度放电照明系统的驱动。
    - 消费电子和计算设备:ATX电源适配器等高性能电源设备中,确保稳定可靠的供电。
    - 工业应用:电焊机和电池充电器等,提供可靠的功率控制。
    - 可再生能源:太阳能光伏逆变器中,提高能源转换效率。
    - 开关模式电源供应系统:用于各种SMPS,提升系统整体效率和稳定性。
    使用建议:
    - 在设计电路时,考虑到IRFP460CPBF-VB 的高功率密度特性,要合理分配散热,以避免热失控现象。
    - 在高频开关应用中,注意 PCB 设计,减少寄生电感,从而降低电磁干扰。

    5. 兼容性和支持


    IRFP460CPBF-VB 与市面上常见的各种标准SMPS系统完全兼容。厂家提供详尽的技术文档和支持服务,包括产品规格书、应用指南和在线技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:在高温环境下,IRFP460CPBF-VB 的RDS(on)会发生变化吗?
    解答:会。RDS(on)随温度上升而略有增加,但根据提供的温度系数(0.67V/℃),变化幅度可控。

    - 问题2:如何正确测量IRFP460CPBF-VB 的反向恢复特性?
    解答:利用特定的测试电路进行测量,包括控制回路电感和选择合适的驱动器。

    7. 总结和推荐


    总体来看,IRFP460CPBF-VB是一款非常适合在高功率密度应用中的N沟道超级结MOSFET。它在多个领域的广泛应用和高效的性能表现使其在市场上具备很强的竞争优势。尽管初期成本较高,但从长期角度来看,其高效和稳定的工作特性将带来更低的运维成本。因此,强烈推荐使用IRFP460CPBF-VB来满足对高性能电力控制的需求。
    联系方式:
    如有任何疑问或需求,请联系我们的服务热线:400-655-8788 或访问官方网站:www.VBsemi.com。

IRFP460CPBF-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ(mΩ)
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 2个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 600V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 20A
最大功率耗散 -
通道数量 1
长*宽*高 40.1mm*15.7mm*4.9mm
通用封装 TO-3PN
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRFP460CPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFP460CPBF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFP460CPBF-VB IRFP460CPBF-VB数据手册

IRFP460CPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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