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HM24N50A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,500V,50A,RDS(ON),90mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V)封装:TO247 凭借其高电压和高电流处理能力以及较低的导通电阻,适用于各种需要高效、高电压和高功率的应用,为电源管理、电机驱动和开关应用
供应商型号: HM24N50A-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HM24N50A-VB

HM24N50A-VB概述

    HM24N50A-VB N-Channel 500V Super Junction Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    HM24N50A-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道500V超级结功率MOSFET。它主要用于开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、高速电力开关以及其他硬开关和高频电路。这款MOSFET采用单通道配置,具备低门极电荷(Qg)和高可靠性的特点,适用于各种高压应用场合。

    2. 技术参数


    HM24N50A-VB的主要技术参数如下:
    - 漏源电压(VDS):500V
    - 门源电压(VGS):±30V
    - 连续漏极电流(TC = 25°C时):ID = 40A
    - 脉冲漏极电流(最大值):IDM = 180A
    - 最大重复雪崩能量(EAS):910mJ
    - 最大重复雪崩电流(IAR):40A
    - 最大重复雪崩能量(EAR):51mJ
    - 最大功率耗散(TC = 25°C时):PD = 530W
    - 最大结温:TJ = 150°C
    其他关键参数包括:
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):VGS = 10V 时为0.080Ω
    - 总栅极电荷(Qg):350nC
    - 栅源电荷(Qgs):85nC
    - 栅漏电荷(Qgd):180nC

    3. 产品特点和优势


    HM24N50A-VB 的独特功能和优势包括:
    - 低栅极电荷:简化驱动要求,降低功耗。
    - 增强的栅极、雪崩和动态dv/dt抗性:提高可靠性。
    - 全面表征的电容和雪崩电压电流:确保稳定运行。
    - 低RDS(on):提供更低的导通损耗。
    - 符合RoHS指令:环保材料,适应绿色制造趋势。

    4. 应用案例和使用建议


    HM24N50A-VB 主要应用于:
    - 开关模式电源(SMPS):用于转换和调节电源电压。
    - 不间断电源(UPS):提供后备电源,保证系统稳定性。
    - 高速电力开关:实现快速、高效的电能转换。
    使用建议:
    - 设计考虑:注意布局中低寄生电感和地平面的设计,减少信号干扰。
    - 热管理:确保良好的散热设计以防止过热。
    - 测试电路:使用相同的测试电路进行验证,确保产品性能一致。

    5. 兼容性和支持


    HM24N50A-VB 与多种电子元器件和设备兼容,如与相同系列的MOSFET、驱动器等。制造商提供了详尽的技术支持和售后服务,包括在线技术支持和用户培训。

    6. 常见问题与解决方案


    常见的用户问题及解决方案:
    - 问题:高温导致性能下降
    - 解决方案:确保良好的散热设计,避免长时间高负荷运行。
    - 问题:驱动电流不稳定
    - 解决方案:检查驱动电路,调整门极电阻值,确保合适的驱动条件。
    - 问题:反向恢复电流过大
    - 解决方案:优化电路设计,减少负载波动,使用合适的二极管保护电路。

    7. 总结和推荐


    综上所述,HM24N50A-VB 是一款高性能、高可靠性的N沟道超级结功率MOSFET,适合多种高压应用场合。它的低栅极电荷和高可靠性使其在开关模式电源和其他高压应用中表现优异。强烈推荐使用此产品来提升系统的效率和稳定性。
    希望这份报告能够帮助您更好地了解HM24N50A-VB N-Channel 500V Super Junction Power MOSFET的特点和优势,并为您的项目选择提供有力的支持。

HM24N50A-VB参数

参数
配置 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 50A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 500V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ(mΩ)
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

HM24N50A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HM24N50A-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HM24N50A-VB HM24N50A-VB数据手册

HM24N50A-VB封装设计

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