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DTP11N65FSJ-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;N沟道;VDS=650V;ID =11A;RDS(ON)=420mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于各种电源模块,如工业电源、通信电源等,可用于稳定供电和电源管理。
供应商型号: DTP11N65FSJ-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) DTP11N65FSJ-VB

DTP11N65FSJ-VB概述


    产品简介


    DTP11N65FSJ-VB 是一款高性能的 N-Channel 650V 超级结功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种电子元器件主要用于开关电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及高能效应用中的服务器和电信设备。此外,它也被广泛应用于高强度放电灯(HID)照明和荧光灯球泡照明系统中,同时也适用于工业控制领域的多种应用。

    技术参数


    - 最大耐压:650V (VDS)
    - 导通电阻:25°C 时为 0.42Ω (RDS(on))
    - 最大漏极电流:10V 栅源电压时为 25°C 时 9.7A (ID),最高温度 150°C 时 1A
    - 总栅极电荷:38nC (Qg)
    - 输入电容:Ciss = 68pF (1MHz 时)
    - 最大脉冲电流:55A (IDM)
    - 单脉冲雪崩能量:132mJ (EAS)
    - 最大功耗:83W (PD)

    产品特点和优势


    DTP11N65FSJ-VB 的显著特点是低阈值电压和低栅极电荷,这些特性使其非常适合高速开关应用。此外,它的超低导通电阻 (RDS(on)) 可以减少在高电流下的能量损耗。这些特性使得这款 MOSFET 在高效能、低损耗的应用场景中表现出色,例如在高效率的服务器和电信电源系统中。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:可以用于提高电源转换效率,减少能量损耗。
    - 高能效应用:如荧光灯照明系统,能够有效减少能源消耗。
    - 工业控制:可应用于多种工业控制系统,提高系统的可靠性和稳定性。
    使用建议:
    - 在选择栅极驱动电阻时,需确保栅极驱动电阻能提供足够的栅极充电电流,以加快 MOSFET 的开关速度。
    - 在高频率应用中,需注意散热设计,以确保长期稳定运行。

    兼容性和支持


    DTP11N65FSJ-VB 设计为 TO-220 FULLPAK 封装,与市场上多数同类产品兼容。VBsemi 提供详细的技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中遇到任何问题时都能得到及时有效的帮助。

    常见问题与解决方案


    - Q: 开关过程中出现异常高温现象?
    A: 确认散热设计是否合理,适当增加散热片面积或改善散热通道设计。
    - Q: MOSFET 寿命较短?
    A: 检查工作环境是否符合规格要求,如工作温度范围等。

    总结和推荐


    综上所述,DTP11N65FSJ-VB 凭借其出色的导通电阻、低栅极电荷以及高可靠性等特点,在各种高能效应用中表现出色。特别是对于追求高效能和低能耗的系统,DTP11N65FSJ-VB 是一个非常理想的选择。因此,我们强烈推荐将其用于需要高能效和低损耗的场合。

DTP11N65FSJ-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 11A
栅极电荷 -
通道数量 1
FET类型 2个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 420mΩ(mΩ)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

DTP11N65FSJ-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

DTP11N65FSJ-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 DTP11N65FSJ-VB DTP11N65FSJ-VB数据手册

DTP11N65FSJ-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
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