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K29S50L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,500V,50A,RDS(ON),90mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V)封装:TO247\n凭借其高电压和高电流处理能力以及较低的导通电阻,适用于各种需要高效、高电压和高功率的应用,为电源管理、电机驱动和开关应用
供应商型号: K29S50L-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K29S50L-VB

K29S50L-VB概述

    K29S50L-VB N-Channel 500V(D-S) Super Junction Power MOSFET

    1. 产品简介


    产品类型: K29S50L-VB 是一款 N-Channel Super Junction Power MOSFET(功率场效应晶体管)。
    主要功能:
    - 具有低栅极电荷(Qg),可简化驱动要求。
    - 改善了栅极、雪崩和动态dv/dt的鲁棒性。
    - 全面表征的电容和雪崩电压电流。
    - 低导通电阻(RDS(on))。
    - 符合RoHS指令2002/95/EC。
    应用领域:
    - 开关模式电源(SMPS)
    - 不间断电源(UPS)
    - 高速功率开关
    - 硬开关和高频电路

    2. 技术参数


    - 额定电压(VDS): 500V
    - 连续漏极电流(TC = 25°C, VGS at 10V): 40A
    - 脉冲漏极电流(IDM): 180A
    - 单次脉冲雪崩能量(EAS): 910mJ
    - 重复雪崩电流(IAR): 40A
    - 重复雪崩能量(EAR): 51mJ
    - 最大功耗(TC = 25°C): 530W
    - 峰值二极管恢复dv/dt: 9.0V/ns
    - 工作结温及存储温度范围(TJ, Tstg): -55°C 到 +150°C
    - 焊锡温度峰值(峰温): 300°C(10秒)

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷(Qg): 350nC,简化驱动要求。
    - 高可靠性和耐用性: 改善的栅极、雪崩和动态dv/dt的鲁棒性。
    - 全面表征的电容和雪崩特性: 在特定条件下进行全面测试和表征。
    - 低导通电阻(RDS(on)): 0.080Ω(VGS = 10V, ID = 28A),提高效率。
    - 符合RoHS标准: 环保设计。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关模式电源(SMPS)中作为主开关管,处理高电压和大电流。
    - 在不间断电源(UPS)系统中实现高效的能量转换。
    使用建议:
    - 确保驱动电路具有适当的栅极电阻(Rg),以避免过高的栅极电压。
    - 在高功率应用中,注意散热设计,使用适当的散热片或风扇,确保工作温度不超出限制。
    - 注意应用中的瞬态电压保护,避免瞬态电压对MOSFET造成损坏。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 与各种驱动器和控制器兼容,适用于多种开关电源和电机控制系统。

    支持和维护:
    - 提供详尽的技术文档和手册。
    - 售后支持和咨询服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 栅极电压不稳定导致开关失效。
    - 解决方案: 确认驱动电路稳定,增加栅极电阻或使用缓冲电路。
    - 问题: 高温环境下工作稳定性下降。
    - 解决方案: 优化散热设计,确保工作温度不超过最大值。
    - 问题: 工作时发热严重。
    - 解决方案: 使用适当尺寸的散热片或风扇,增加散热效率。

    7. 总结和推荐



    总结

    :
    - K29S50L-VB MOSFET具有低导通电阻和高耐压能力,适用于高效率、高可靠性的电力转换应用。
    - 通过优化的设计和全面的测试,该产品在开关电源、不间断电源和其他需要高效功率控制的应用中表现出色。
    推荐:
    - 强烈推荐在高功率密度应用中使用K29S50L-VB,特别是在需要高速开关和高效能输出的场合。

K29S50L-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 50A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ(mΩ)
通道数量 1
栅极电荷 -
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K29S50L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K29S50L-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K29S50L-VB K29S50L-VB数据手册

K29S50L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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