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IXFH32N50Q-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,500V,50A,RDS(ON),90mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V)封装:TO247 凭借其高电压和高电流处理能力以及较低的导通电阻,适用于各种需要高效、高电压和高功率的应用,为电源管理、电机驱动和开关应用
供应商型号: IXFH32N50Q-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXFH32N50Q-VB

IXFH32N50Q-VB概述

    文章标题:IXFH32N50Q-VB N-Channel 500V超级结功率MOSFET 技术手册解析

    一、产品简介


    IXFH32N50Q-VB 是一款由 VBsemi 推出的 N 沟道 500V 超级结功率 MOSFET,其核心设计满足现代开关电源及高速电路的需求。该产品具有低导通电阻(RDS(on))和优化的门极电荷(Qg),特别适用于开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、硬开关和高频电路等领域。凭借高可靠性与卓越性能,这款 MOSFET 在工业和消费电子市场表现出强大的竞争优势。

    二、技术参数


    以下是 IXFH32N50Q-VB 的主要技术规格和技术指标:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单位 |
    |
    | 栅源击穿电压 | VDS | 500 | - | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 3.0 | - | 5.0 | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.080 | - | Ω |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 350 | - | nC |
    | 峰值脉冲漏电流 | ID | - | 25 | 40 | A |
    | 最大结温 | TJ | -55 | 150 | - | °C |
    | 最大雪崩能量 | EAS | - | 910 | - | mJ |
    其他关键特性包括:
    - 高效开关性能;
    - 支持重复雪崩模式;
    - 低功耗设计;
    - 具备 RoHS 认证。

    三、产品特点和优势


    IXFH32N50Q-VB 的显著特点如下:
    1. 低导通电阻(RDS(on)):典型值仅为 0.080Ω,在高电流环境下保持较低的功耗,适合高效能电路。
    2. 优化栅极电荷(Qg):低栅极电荷特性显著降低了驱动功率需求,简化了驱动电路设计。
    3. 坚固耐用:具备优异的雪崩和动态 dV/dt 耐受能力,适应严苛的工作环境。
    4. 宽工作温度范围:从 -55°C 至 +150°C,满足极端条件下的可靠运行。
    5. RoHS 合规:绿色环保设计,符合国际环保标准。
    这些特点使 IXFH32N50Q-VB 成为高性能开关电源的理想选择,在工业控制、通信设备和电动汽车充电系统中具备广泛应用潜力。

    四、应用案例和使用建议


    典型应用:
    - 开关模式电源(SMPS)
    - 不间断电源(UPS)
    - 硬开关电路和高频转换器
    使用建议:
    1. 在硬开关环境中,确保驱动电路充分支持高速开关需求。
    2. 通过合理布局减小寄生电感,避免快速开关时引发振荡。
    3. 在高温条件下工作时,需考虑散热措施以防止过热损坏。

    五、兼容性和支持


    - 兼容性:IXFH32N50Q-VB 的封装为 TO-274AA,尺寸适配广泛应用,可轻松集成到现有设计中。
    - 支持:VBsemi 提供全面的技术支持和完善的售后服务,包括样品申请、定制化解决方案和技术文档下载,确保客户无忧使用。

    六、常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度较慢 | 调整栅极驱动电阻至更低值 |
    | 散热不良导致性能下降 | 增加散热片或使用高效热管理方案 |
    | 雪崩模式下电流过高 | 确保电路负载稳定,降低瞬态电压冲击风险 |

    七、总结和推荐


    IXFH32N50Q-VB 是一款极具竞争力的 N 沟道功率 MOSFET,以其高效率、低成本和易于使用的特点脱颖而出。它在开关电源领域的表现尤为突出,适合需要高效能和严格可靠性要求的应用场景。经过全面评估,我们推荐该产品用于需要高性能功率器件的场合。
    如需进一步技术支持或采购信息,请联系服务热线:400-655-8788。

    ©VBsemi

IXFH32N50Q-VB参数

参数
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
栅极电荷 -
通道数量 1
Id-连续漏极电流 50A
Vds-漏源极击穿电压 500V
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ(mΩ)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXFH32N50Q-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXFH32N50Q-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IXFH32N50Q-VB IXFH32N50Q-VB数据手册

IXFH32N50Q-VB封装设计

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