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65C6190-VB TO247

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;VDS=650V;ID =20A;RDS(ON)=160mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;在工业自动化领域,可用于控制器、伺服驱动器和工业电源等设备,以实现高效能源转换和精确控制。
供应商型号: 65C6190-VB TO247 TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 65C6190-VB TO247

65C6190-VB TO247概述

    产品概述:65C6190-VB TO247 N-Channel MOSFET

    产品简介


    65C6190-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的N-Channel Super Junction MOSFET,采用TO-247AC封装。该产品具有多种应用,如电信电源供应、高强光放电(HID)照明、荧光灯球泡驱动、ATX电源供应、焊接设备、电池充电器、太阳能逆变器以及开关模式电源供应(SMPS)。65C6190-VB 具备低开关损耗、超低栅极电荷等特性,使其在各种电力电子应用中表现优异。

    技术参数


    以下是65C6190-VB的主要技术规格:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 | 650 | V |
    | 漏源导通电阻(25°C时) | 0.19 | Ω |
    | 栅源电容 | 2322 | pF |
    | 输出电容 | 105 | pF |
    | 有效输出电容(能量相关) | 84 | pF |
    | 有效输出电容(时间相关) | 293 | pF |
    | 总栅极电荷 | 71 | nC |
    | 栅源电荷 | 14 | nC |
    | 栅极至漏极电荷 | 33 | nC |
    此外,该产品具备优秀的热稳定性,最大结温范围为-55°C至+150°C。它还具有高达208W的最大功耗能力。

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷(Qg):减少栅极充电时间,提升系统效率。
    - 低反向恢复时间和电荷:降低开关损耗,提高转换效率。
    - 高雪崩耐受能力(UIS):在极端条件下保证可靠的运行。
    - 低漏源导通电阻:在高电流应用中提供更低的功耗。
    - 广泛的工作温度范围:确保在恶劣环境下仍能正常工作。

    应用案例和使用建议


    - 电信行业:服务器和通信电源供应,这类应用需要高度可靠且高效的组件来确保稳定运行。
    - 照明系统:适合用于HID照明和荧光灯球泡驱动,以提高效率和减少能耗。
    - 消费和计算:应用于ATX电源供应,以满足高性能计算设备的需求。
    - 工业应用:焊接设备和电池充电器等需要长时间工作的场合,该产品能够提供持续稳定的性能。
    - 可再生能源:如太阳能逆变器,利用其高效转换能力和可靠性能。
    - 开关模式电源供应:适用于对效率要求极高的电源转换装置。
    使用建议:在使用65C6190-VB时,应注意其最大脉冲电流(IMD)和工作温度限制。例如,在高功率应用中应确保良好的散热设计,并注意保护电路免受过压冲击。

    兼容性和支持


    65C6190-VB设计用于与其他标准电子元件兼容,可以无缝集成到现有的电路中。台湾VBsemi公司提供了全面的技术支持和售后服务,帮助客户解决在使用过程中遇到的各种问题。

    常见问题与解决方案


    - Q:栅极电荷过高怎么办?
    - A:调整栅极电阻(Rg)值以降低栅极电荷。建议参考制造商提供的应用指南进行调整。
    - Q:如何避免高温影响?
    - A:在设计时考虑良好的散热措施,比如使用散热片或者风扇。确保电路板布局合理,减小热阻。
    - Q:产品在启动时表现不稳定怎么办?
    - A:检查电源电压是否符合规格要求,并确保栅极驱动信号正确无误。可能需要增加门限电压(VGS)以改善启动特性。

    总结和推荐


    65C6190-VB是一款集高效、稳定、可靠性于一身的N-Channel Super Junction MOSFET。它不仅适用于广泛的工业和消费类电子产品,还在能源管理和可再生能源领域展现出强大的应用潜力。考虑到其出色的性能指标和台湾VBsemi公司的优质售后服务,强烈推荐这款产品给寻求高效能电力电子解决方案的应用开发工程师们。

65C6190-VB TO247参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 20A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 160mΩ(mΩ)
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 2个N沟道
通道数量 1
栅极电荷 -
配置 -
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

65C6190-VB TO247厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

65C6190-VB TO247数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 65C6190-VB TO247 65C6190-VB TO247数据手册

65C6190-VB TO247封装设计

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