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FQB14N30TM-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO263;N沟道;VDS=500V;ID =18A;RDS(ON)=240mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于高功率电子设备和模块。其特点包括高额定漏极-源极电压、低漏极电流和可靠性,适用于高功率电子设备和模块,包括工业电源模块、电动汽车驱动器和太阳能逆变器等领域。
供应商型号: FQB14N30TM-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQB14N30TM-VB

FQB14N30TM-VB概述

    FQB14N30TM N-Channel 500-V (D-S) Super Junction MOSFET

    1. 产品简介


    FQB14N30TM是一款N沟道500V超级结MOSFET,适用于多种高要求的电力转换和开关应用。该器件采用D2PAK封装(TO-263),具有极低的导通电阻(RDS(on))和快速的开关性能,能够显著降低系统整体功耗和热损耗,适合应用于计算机电源供应系统(如PC银箱和ATX电源)等领域。

    2. 技术参数


    - 漏源电压 (VDS): 最大值为500V
    - 最大连续漏电流 (ID): 18A @ 25°C,12A @ 100°C
    - 总栅极电荷 (Qg): 最大值为86nC
    - 静态门限电压 (VGS(th)): 2.0至4.0V
    - 反向恢复时间 (trr): 最大值为265ns
    - 最大脉冲雪崩能量 (EAS): 186mJ
    - 最大耗散功率 (PD): 206W
    - 绝对最高结温 (TJ): -55°C 至 +150°C
    - 开关温度范围 (Tstg): -55°C 至 +150°C

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷 (Qg): 这减少了开关损耗,使器件具有更高的效率。
    - 低输入电容 (Ciss): 降低了栅极驱动要求,简化了电路设计。
    - 低通态电阻 (RDS(on)): 在典型工作条件下为0.192Ω,使得器件在正常运行时能保持低功耗。
    - 反向恢复特性: 快速的反向恢复时间和低反向恢复电荷有助于减少电磁干扰和改善系统可靠性。
    - 耐高压能力: 最大耐压为500V,适用于高电压环境。

    4. 应用案例和使用建议


    - 计算与存储: 在PC银箱和ATX电源中,FQB14N30TM可以用于整流、DC-DC转换及负载切换等环节。
    - 建议使用: 使用时注意控制栅极电压,以确保器件处于最佳工作状态。此外,在高温环境下需要适当降额使用,以避免过热损坏。

    5. 兼容性和支持


    FQB14N30TM与同类规格的电路板和器件具有良好的兼容性。制造商提供了详细的参数和技术支持文档,以便于用户进行选型和应用开发。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关频率过高导致热损耗增加。
    - 解决方法: 减小开关频率或者增加散热措施,如加装散热片。
    - 问题2: 反向恢复时出现明显的电压尖峰。
    - 解决方法: 选择合适的缓冲电路或增加EMI滤波器来抑制尖峰电压。

    7. 总结和推荐


    FQB14N30TM凭借其高效的开关性能和可靠的耐压能力,是高性能电力电子应用的理想选择。该器件在设计和使用时应注意温度管理和电压控制,确保其发挥最佳性能。综上所述,我们强烈推荐使用FQB14N30TM在需要高效、可靠开关性能的应用中。

FQB14N30TM-VB参数

参数
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
FET类型 2个N沟道
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 240mΩ(mΩ)
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 18A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
长*宽*高 16mm*10.8mm*4.9mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FQB14N30TM-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQB14N30TM-VB数据手册

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FQB14N30TM-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 10.7639
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500+ ¥ 9.1693
1000+ ¥ 8.7706
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