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IXFR64N50Q3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,500V,50A,RDS(ON),90mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V)封装:TO247 凭借其高电压和高电流处理能力以及较低的导通电阻,适用于各种需要高效、高电压和高功率的应用,为电源管理、电机驱动和开关应用
供应商型号: IXFR64N50Q3-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXFR64N50Q3-VB

IXFR64N50Q3-VB概述

    N-Channel 500V(D-S) Super Junction Power MOSFET IXFR64N50Q3-VB

    产品简介


    产品类型:N-Channel 500V Super Junction Power MOSFET
    主要功能:用于高压电源开关、不间断电源系统、高速功率开关以及硬开关和高频电路。
    应用领域:广泛应用于开关电源(SMPS)、不间断电源系统(UPS)和其他高频率电力转换应用中。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压(VDS) | 500 | V |
    | 最大漏极电流(ID) | 40 | A |
    | 脉冲漏极电流(IDM) | 180 | A |
    | 最大重复雪崩能量(EAS) | 910 | mJ |
    | 最大重复雪崩电流(IAR) | 40 | A |
    | 最大重复雪崩能量(EAR) | 51 | mJ |
    | 最大功率耗散(PD) | 530 | W |
    | 热阻抗(RthJA) | 40 | °C/W |
    | 导通电阻(RDS(on)) | 0.080 | Ω |
    | 有效输出电容(Coss eff.) | 440 | pF |
    | 总栅极电荷(Qg) | 350 | nC |
    | 栅极-源极电荷(Qgs) | 85 | nC |
    | 栅极-漏极电荷(Qgd) | 180 | nC |

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷:导致简单的驱动需求。
    - 增强的栅极、雪崩和动态dv/dt坚固性。
    - 完全标定的电容和雪崩电压及电流。
    - 低导通电阻(RDS(on))。
    - 符合RoHS指令2002/95/EC。

    应用案例和使用建议


    该MOSFET特别适用于需要高频率和高效率的应用场景,如SMPS和UPS系统。以下是一些建议:
    1. 开关电源(SMPS):利用其低栅极电荷和低RDS(on),可实现高效开关操作。
    2. 不间断电源系统(UPS):确保系统的可靠性和稳定性,特别是在高功率应用中。
    3. 硬开关和高频电路:利用其优秀的雪崩和dv/dt性能,保证稳定的工作条件。

    兼容性和支持


    该产品设计为适用于广泛的高压电力转换应用,并且由于其高可靠性和卓越的性能,在与大多数现代电子设备配套时具有良好的兼容性。此外,制造商提供了全面的技术支持和维护服务,以确保客户能够顺利使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:脉冲宽度限制是什么?
    解答:脉冲宽度受限于最大结温(参见图11)。
    2. 问题:温度系数是多少?
    解答:VDS的温度系数为0.60 V/°C(参考25°C,ID = 1 mA)。
    3. 问题:重复雪崩电流和能量分别是多少?
    解答:重复雪崩电流(IAR)为40 A,重复雪崩能量(EAR)为51 mJ。

    总结和推荐


    IXFR64N50Q3-VB是一款高性能的N-Channel 500V Super Junction Power MOSFET,具备出色的耐用性和可靠性,适用于多种高功率和高频率应用。其低栅极电荷和低RDS(on)使其在开关电源、不间断电源系统和其他高要求应用中表现出色。因此,强烈推荐此产品给需要高性能和高可靠性的工程师和技术人员。

IXFR64N50Q3-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 50A
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ(mΩ)
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Vds-漏源极击穿电压 500V
栅极电荷 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 2个N沟道
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXFR64N50Q3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXFR64N50Q3-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IXFR64N50Q3-VB IXFR64N50Q3-VB数据手册

IXFR64N50Q3-VB封装设计

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