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FQP10N90C-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;N沟道;VDS=900V;ID =9A;RDS(ON)=560mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;在各种电源管理模块中,该产品可用于功率开关控制,如电源开关、电压稳定器等。
供应商型号: FQP10N90C-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQP10N90C-VB

FQP10N90C-VB概述

    FQP10N90C-VB N-Channel 900V Super Junction Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FQP10N90C-VB 是一款 N-Channel 900V 超级结功率 MOSFET,广泛应用于服务器和电信电源系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明领域,包括高强度放电灯(HID)和荧光灯球泡灯。这款 MOSFET 以其出色的电气特性和高效能表现,在高电压应用中表现出色。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 集电极-发射极击穿电压 \( V{DS} \): 最大 900V (TJ)
    - 开启电阻 \( R{DS(on)} \): 10V 时为 0.60Ω (25°C)
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 最大 73nC
    - 门极电荷 \( Q{gs} \): 9nC
    - 门极-漏极电荷 \( Q{gd} \): 17nC
    - 绝对最大额定值
    - 集电极-发射极电压 \( V{DS} \): -
    - 门极-源极电压 \( V{GS} \): ±30V
    - 持续集电极电流 (TJ=150°C):
    - \( V{TC} \) 下的 \( V{GS} \) 为 10V 时: 8A
    - \( V{TC} \) 下的 \( V{GS} \) 为 100°C 时: 28A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 226mJ
    - 最大功耗 \( PD \): 156W
    - 工作结温及存储温度范围 \( T{J}, T{STG} \): -55°C 至 +150°C
    - 热阻抗
    - 最大结-空气热阻 \( R{thJA} \): - 62°C/W
    - 最大结-壳体热阻 \( R{thJC} \): - 0.8°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷 \( Qg \):仅为 73nC,有助于减少开关和导通损耗。
    - 低输入电容 \( C{iss} \):有助于提高系统效率并减少开关损耗。
    - 卓越的雪崩耐受能力:允许在极端条件下稳定运行。
    - 快速开关特性:具备优秀的动态响应能力,适合高频应用。

    4. 应用案例和使用建议


    FQP10N90C-VB MOSFET 广泛应用于以下领域:
    - 服务器和电信电源系统:适用于高效率、高可靠性的电源设计。
    - 开关模式电源(SMPS):特别适合高频率的应用场景。
    - 功率因数校正电源(PFC):有助于提高整体系统的功率因数。
    - 高强度放电灯(HID)和荧光灯照明:适用于照明领域的驱动电路。
    使用建议:
    - 在高频应用中,应确保 PCB 布局合理,以减少寄生电感和电容的影响。
    - 在高电流应用中,需注意散热管理,防止过热导致损坏。

    5. 兼容性和支持


    FQP10N90C-VB MOSFET 可与其他符合相同标准的电子元件兼容。VBsemi 提供详尽的技术支持文档,用户可以通过官方服务热线 400-655-8788 获取更多信息和技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1: MOSFET 在高负载下过热。
    - 解决方案: 检查散热措施是否到位,确保 MOSFET 的安装符合推荐要求,并适当降低负载电流。
    - 问题 2: MOSFET 的开关时间异常。
    - 解决方案: 检查栅极驱动电路是否正常,确认 \( Rg \) 电阻值是否合适。
    - 问题 3: MOSFET 的开启电阻异常增大。
    - 解决方案: 检查 MOSFET 是否受损,必要时更换新的 MOSFET。

    7. 总结和推荐


    综上所述,FQP10N90C-VB MOSFET 是一款高性能、高可靠性的 N-Channel 900V 功率 MOSFET。其低栅极电荷、低输入电容以及出色的雪崩耐受能力使其在各种高压应用中表现出色。对于需要高效率、高可靠性电源解决方案的设计者来说,这款 MOSFET 是一个理想的选择。强烈推荐用于服务器、电信电源系统、照明和其他高电压应用领域。

FQP10N90C-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 9A
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 560mΩ(mΩ)
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 900V
配置 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FQP10N90C-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQP10N90C-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FQP10N90C-VB FQP10N90C-VB数据手册

FQP10N90C-VB封装设计

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