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FQD3P20-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;P沟道;VDS=-200V;ID =-3.6A;RDS(ON)=1160mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=1392mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-2.5V;适用于广泛的领域和模块,包括电源管理、电机驱动、LED照明、汽车电子和工业自动化等,为各种应用提供可靠的性能和稳定性。
供应商型号: FQD3P20-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQD3P20-VB

FQD3P20-VB概述

    FQD3P20 P-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FQD3P20 是一款适用于表面贴装技术(SMT)的 P 沟道 MOSFET。它提供动态 dv/dt 额定值和重复雪崩额定值,这使其适合在高频率开关和要求严格的瞬态环境下运行。该产品具备快速开关能力和易并联的优势,适用于多种电路设计中。

    2. 技术参数


    - 工作电压:VDS = -200 V
    - 导通电阻:RDS(on) (VGS = -10 V) = 1.0 Ω
    - 总门电荷:Qg = 29 nC
    - 门源电荷:Qgs = 5.4 nC
    - 门漏电荷:Qgd = 15 nC
    - 门输入电阻:Rg = 0.6 Ω @ 1 MHz
    - 最大脉冲电流:IMD = -15 A
    - 最大结到环境热阻:RthJA = 62 °C/W
    - 反向恢复时间:trr = 200-300 ns
    - 持续源漏二极管电流:IS = -6.5 A
    - 反向恢复电荷:Qrr = 1.9-2.9 μC

    3. 产品特点和优势


    - 快速开关能力:能够实现高速开关,适用于高频应用。
    - 动态 dv/dt 额定值:适合处理高频率变化,确保稳定性和可靠性。
    - 重复雪崩额定值:能够承受多次高能冲击,提高耐用性。
    - 易于并联:在需要大电流输出的应用中,可以通过简单并联增加总电流能力。
    - 逻辑级驱动:支持低电压驱动,减少功耗,简化外围电路设计。

    4. 应用案例和使用建议


    - 逆变器设计:FQD3P20 在逆变器中的使用可以显著提高转换效率,尤其是在高频开关环境中。
    - 电源管理:适用于高功率密度的应用,如开关电源和直流电机驱动。
    - 汽车电子:可用于汽车的电动机控制系统,保证系统在极端温度下的稳定工作。
    使用建议:
    - 确保散热设计合理,特别是在高温环境中使用时,可通过增加散热片或优化 PCB 设计来提升散热效果。
    - 高速开关时,需要注意 PCB 布局,尽量减少寄生电感,以提高整体性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:FQD3P20 可与大多数标准 PCB 设计兼容,尤其是 TO-252 封装的 PCB。
    - 技术支持:VBsemi 提供全面的技术支持,包括详细的安装指南和在线客服。若有任何技术疑问,可通过服务热线 400-655-8788 联系我们。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:如何选择合适的驱动电阻?
    - A:选择驱动电阻时,应考虑 MOSFET 的开关速度和功耗。通常,较小的驱动电阻可以加快开关速度,但会增加功耗。推荐电阻值应在 10-30 欧姆之间。
    - Q:长时间工作时的温升问题如何解决?
    - A:通过增加散热片或优化 PCB 设计,可以有效降低温升。确保良好的空气流通,避免局部过热。

    7. 总结和推荐


    FQD3P20 P 沟道 MOSFET 凭借其快速开关、高可靠性及易于并联的特点,在高频和高功率密度应用中表现出色。特别适用于逆变器和电源管理系统。其优秀的动态性能和耐用性使得它成为许多应用的理想选择。强烈推荐在需要高性能 MOSFET 的场合使用此产品。

FQD3P20-VB参数

参数
配置 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 3.6A
FET类型 2个P沟道
通道数量 1
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.16Ω(mΩ)
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FQD3P20-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQD3P20-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FQD3P20-VB FQD3P20-VB数据手册

FQD3P20-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.9159
100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.4839
2500+ ¥ 2.3759
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