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6R075PA-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。生产的高性能单极性N型功率半导体器件,具有优异的高压和高功率特性。其采用SJ_Multi-EPI技术,配备TO247封装,适用于各种电力控制和转换应用。该产品具有可靠性高、性能稳定等优点,广泛应用于工业、能源等领域。TO247;N沟道,650V;47A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: 6R075PA-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 6R075PA-VB

6R075PA-VB概述

    N-Channel 650V COMPLIANT Super Junction Power MOSFET 6R075PA-VB

    产品简介


    N-Channel 650V COMPLIANT Super Junction Power MOSFET(6R075PA-VB)是一种先进的场效应晶体管(MOSFET),特别设计用于高功率和高频应用。这种MOSFET主要用于服务器和电信电源系统、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正电源供应(PFC)、照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)以及其他工业应用,例如焊接、感应加热、电机驱动、电池充电和可再生能源(如太阳能光伏逆变器)。

    技术参数


    - 基本参数
    - VDS(最大值):700 V
    - RDS(on)(25°C时):0.06 Ω
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):142 A
    - 反复峰值脉冲漏极电流(ID):47 A(25°C时),30 A(100°C时)
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):1410 mJ
    - 最大功率耗散(PD):415 W
    - 工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg):-55°C 至 +150°C
    - 动态参数
    - 输入电容(Ciss):5682 pF(VGS = 0 V, VDS = 100 V, f = 1 MHz)
    - 输出电容(Coss):251 pF
    - 门电容(Qg):273 nC
    - 开启延迟时间(td(on)):47 ns(VDD = 520 V, ID = 6 A, VGS = 10 V, Rg = 9.1 Ω)
    - 关断延迟时间(td(off)):156 ns
    - 下降时间(tf):103 ns

    产品特点和优势


    6R075PA-VB 具备多种独特的优势,使其在市场上具有较高的竞争力:
    - 低栅极电荷(Qg):Qg 仅为 273 nC,减少了开启和关断过程中的能量损耗。
    - 低输入电容(Ciss):Ciss 为 5682 pF,在高频操作条件下,能够显著降低开关损耗。
    - 雪崩能量评级(UIS):提供高达 1410 mJ 的雪崩能量,确保在恶劣环境下可靠运行。
    - 高开关频率适应性:低损耗和低电容特性使得该 MOSFET 在高频率应用中表现出色。

    应用案例和使用建议


    该 MOSFET 在多种工业应用中表现卓越,尤其是在需要高可靠性、低损耗和高效率的应用场景中。例如,在服务器和电信电源供应系统中,它可以显著提高电源转换效率,减少能耗;在焊接和感应加热应用中,它能提供高效的电流控制,提高工作效率。
    使用建议:
    - 优化电路布局:减少寄生电感和泄漏电感,以提高整体效率。
    - 考虑热管理:由于其高功率损耗能力,需设计良好的散热系统以保持设备稳定运行。

    兼容性和支持


    6R075PA-VB 设计为与多种标准 TO-247AC 封装相兼容,易于集成到现有系统中。VBsemi 提供详尽的技术支持文档,并有专业工程师团队随时准备协助解决安装和使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确保 MOSFET 在高温环境下的稳定性?
    - 解决方案:定期检查散热系统,确保良好的热导通路径。同时,选择合适的散热器和热界面材料。

    - 问题:如何避免高电压损坏 MOSFET?
    - 解决方案:使用电压保护器件,如瞬态电压抑制二极管(TVS),确保在异常情况下保护 MOSFET。

    总结和推荐


    6R075PA-VB 是一款高性能的 N-Channel 650V Super Junction Power MOSFET,具备出色的电气特性和广泛的适用性。它的高效率和低损耗特性使它在多种工业应用中表现出色。总体来说,强烈推荐此款产品给需要高可靠性、高效能和高频率操作的客户。

6R075PA-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 47A
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
配置 -
通道数量 1
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 75mΩ(mΩ)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 -
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

6R075PA-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

6R075PA-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 6R075PA-VB 6R075PA-VB数据手册

6R075PA-VB封装设计

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