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FQD7P20-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;P沟道;VDS=-200V;ID =-3.6A;RDS(ON)=1160mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=1392mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-2.5V;适用于广泛的领域和模块,包括电源管理、电机驱动、LED照明、汽车电子和工业自动化等,为各种应用提供可靠的性能和稳定性。
供应商型号: FQD7P20-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQD7P20-VB

FQD7P20-VB概述

    # FQD7P20 P-Channel MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    FQD7P20 是一款 P-通道功率 MOSFET,具有快速开关、并联容易等优点。其广泛应用于电源管理、电机控制和各类电子设备中。此款 MOSFET 提供表面贴装选项,并且支持动态 dV/dt 评级和重复雪崩额定值。

    技术参数


    以下是 FQD7P20 的主要技术参数:
    - 最大漏源电压 (VDS): -200 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 1.0 Ω @ VGS = -10 V
    - 总栅极电荷 (Qg): 29 nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 5.4 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 15 nC
    - 连续漏电流 (ID): -3.6 A @ TC = 25 °C, -2.5 A @ TC = 100 °C
    - 脉冲漏电流 (IDM): -15 A
    - 结到外壳热阻 (RthJC): 1.7 °C/W
    - 结到环境热阻 (RthJA): 62 °C/W
    - 单次脉冲雪崩能量 (EAS): 500 mJ
    - 雪崩电流 (IAR): -6.4 A
    - 重复雪崩能量 (EAR): 7.4 mJ
    - 内部体二极管的最大雪崩电压 (VSD): -6.5 V

    产品特点和优势


    FQD7P20 具有以下显著特点:
    - 快速开关:适合高频应用。
    - 易于并联:在需要较高电流的应用中表现出色。
    - 动态 dV/dt 额定值:提高系统可靠性。
    - 重复雪崩额定值:适用于极端工作条件。
    这些特点使其在多种电力转换和控制应用中表现出色,尤其是在那些对可靠性和效率有严格要求的场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    FQD7P20 广泛应用于以下几个领域:
    - 电源转换电路,如 DC-DC 转换器
    - 电机驱动系统
    - 照明设备中的逆变器
    使用建议
    - 散热设计:由于高功率损耗可能产生大量热量,应确保良好的散热设计,以避免温度过高导致损坏。
    - 电路布局:考虑到低杂散电感和接地平面的布局,以减少寄生效应。
    - 驱动信号优化:适当优化栅极驱动信号以确保可靠的开关性能。

    兼容性和支持


    FQD7P20 通常与标准 PCB 材料兼容(如 FR-4 或 G-10),并且可以通过制造商提供的技术文档获取更多支持信息。

    常见问题与解决方案


    1. 高温环境下性能下降
    - 解决办法:优化散热设计,采用散热片或风扇辅助散热。
    2. 栅极信号不稳定
    - 解决办法:检查栅极驱动电路的设计,确保合适的信号强度和波形。

    总结和推荐


    综上所述,FQD7P20 P-通道功率 MOSFET 在可靠性、开关速度和并联能力方面表现出色,非常适合用于多种电力转换和控制系统中。强烈推荐此款产品给寻求高性能电力解决方案的工程师和设计师。

FQD7P20-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
FET类型 2个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 1.16Ω(mΩ)
通道数量 1
Id-连续漏极电流 3.6A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FQD7P20-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQD7P20-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FQD7P20-VB FQD7P20-VB数据手册

FQD7P20-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.9159
100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.4839
2500+ ¥ 2.3759
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