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FQD4P25TM_WS-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;P沟道;VDS=-250V;ID =-6A;RDS(ON)=1000mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=1200mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-2V;特性使其在多个领域的功率控制和电源管理模块中表现出色,为各种应用提供可靠的性能和高效的能源转换。
供应商型号: FQD4P25TM_WS-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQD4P25TM_WS-VB

FQD4P25TM_WS-VB概述


    产品简介


    Power MOSFET (FQD4P25TM)
    FQD4P25TM是一款P沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高可靠性应用设计。它具有先进的工艺技术和高性能参数,适用于各种工业和汽车领域的电源管理应用。该产品能够在极端条件下稳定运行,适用于需要快速开关能力和低导通电阻的应用场景。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | -250 | - | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | - | - | V |
    | 持续漏电流 | ID | -6.0 | - | - | A |
    | 冲击漏电流 | IDM | -16 | - | - | A |
    | 击穿能量 | EAS | 520 | - | - | mJ |
    | 转导电容 | Ciss | - | 680 | - | pF |
    | 阈值电压 | VGS(th) | -2.0 | - | -4.0 | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 1.0 | - | Ω |
    | 最大热阻抗 | RthJA | - | 65 | - | °C/W |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 150 | °C |

    产品特点和优势


    FQD4P25TM拥有以下独特的功能和优势:
    - 先进的工艺技术:提高了产品的可靠性和耐久性。
    - 动态dv/dt额定值:确保在高速开关时不会损坏。
    - 宽温度范围:可以在-55到150°C的温度范围内工作。
    - 快速开关:能够快速开启和关闭,减少功耗和提高效率。
    - 完全雪崩额定值:保证在极端条件下的稳定性。
    - 无铅可选:符合环保要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    FQD4P25TM适用于多种电源管理和驱动控制应用,例如:
    - 电动汽车充电系统
    - 电源转换器
    - 工业电机控制器
    使用建议
    为了充分发挥FQD4P25TM的性能,建议遵循以下几点:
    1. 保持适当的散热措施:由于较高的热阻,必须确保良好的散热。
    2. 优化电路布局:减小寄生电感和减少泄漏电感,提高效率。
    3. 合理选择栅极电阻:确保快速稳定的开关。

    兼容性和支持


    FQD4P25TM可以与其他标准的电源管理器件无缝配合,适用于广泛的电路设计。制造商提供了详尽的技术支持和售后维护服务,确保用户能够在整个产品生命周期内得到支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:热阻较高导致过热
    - 解决方案:增加散热片,确保良好的空气流通,或者采用外部冷却方式如风扇或散热片。
    2. 问题:开关速度慢
    - 解决方案:优化栅极电阻的选择,确保栅极驱动电压合适且信号传输稳定。
    3. 问题:噪声干扰严重
    - 解决方案:优化电路布局,减少寄生电感和降低接地噪声。

    总结和推荐


    FQD4P25TM凭借其先进的工艺技术和出色的电气性能,在高可靠性应用中表现出色。其快速的开关能力和宽广的工作温度范围使其成为电源管理应用的理想选择。强烈推荐使用这款MOSFET,尤其是在需要高效能和稳定性的关键场合。
    如有任何疑问或需求进一步技术支持,请联系服务热线:400-655-8788。

FQD4P25TM_WS-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 250V
配置 -
通道数量 1
Id-连续漏极电流 6A
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Rds(On)-漏源导通电阻 1Ω(mΩ)
FET类型 2个P沟道
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FQD4P25TM_WS-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQD4P25TM_WS-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FQD4P25TM_WS-VB FQD4P25TM_WS-VB数据手册

FQD4P25TM_WS-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
2500+ ¥ 3.6425
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型号 价格(含增值税)
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