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K3698-01-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。在太阳能逆变器和风力发电控制系统中,该型号的MOSFET可用于电源转换和电能调节,提高新能源系统的效率和稳定性。 TO220;N沟道,900V;5A;RDS(ON)=1500mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: K3698-01-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3698-01-VB

K3698-01-VB概述

    K3698-01-VB N-Channel 900V Super Junction MOSFET

    1. 产品简介


    K3698-01-VB是一款N沟道超级结功率MOSFET,具有高击穿电压(900V)和低导通电阻(1.3Ω @ VGS=10V),广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动、电源管理和LED照明等领域。

    2. 技术参数


    - 基本特性:
    - 动态dV/dt等级
    - 反复雪崩额定值
    - 隔离中心安装孔
    - 快速开关
    - 并联容易
    - 简单的驱动要求
    - 符合RoHS指令2002/95/EC

    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压(VDS):900V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 连续漏极电流(ID):5A @ 25°C,3.9A @ 100°C
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):770mJ
    - 最大功耗(PD):190W
    - 峰值二极管恢复电压(dV/dt):2.0V/ns
    - 热阻:
    - 最大结到环境热阻(RthJA):- 40°C/W
    - 案例到散热片热阻(RthCS):0.24°C/W
    - 最大结到外壳热阻(RthJC):- 0.65°C/W
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压(VDS):900V @ VGS=0V,ID=250μA
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):2.0-4.0V @ VDS=VGS,ID=250μA
    - 零栅电压漏极电流(IDSS):100μA @ VDS=800V,VGS=0V
    - 导通电阻(RDS(on)):1.3Ω @ VGS=10V,ID=3.7A
    - 输入电容(Ciss):- 3100pF @ VGS=0V,VDS=25V,f=1.0MHz
    - 输出电容(Coss):800pF
    - 门极电荷(Qg):200nC
    - 转向延迟时间(td(on)):19ns

    3. 产品特点和优势


    - 动态dV/dt等级:高dV/dt性能使得MOSFET在快速开关时具有良好的可靠性。
    - 反复雪崩额定值:能够承受高能量冲击,适合在恶劣环境中使用。
    - 隔离中心安装孔:简化安装过程,提高机械稳定性。
    - 简单驱动要求:需要较低的栅极驱动电压,易于集成到现有系统中。
    - 快速开关:优秀的开关性能可以减少损耗,提高效率。
    - 符合RoHS标准:无铅化设计,环保安全。

    4. 应用案例和使用建议


    K3698-01-VB适用于多种应用场景,如开关电源、逆变器、电机驱动等。例如,在逆变器中,MOSFET可以作为高频开关,实现高效的直流到交流转换。使用时需要注意以下几个方面:
    - 驱动电路设计:确保驱动电压和电流符合MOSFET的要求。
    - 散热管理:使用合适的散热片和热管理策略,避免过热导致性能下降。
    - 并联使用:为了增加电流处理能力,可以将多个MOSFET并联使用。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:K3698-01-VB采用TO-220AB封装,与大多数标准散热片兼容。
    - 支持:制造商提供详细的技术文档和技术支持,帮助客户进行产品选型和应用设计。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:开关过程中出现过温现象。
    - 解决方案:检查散热设计,确保足够的散热能力。

    - 问题2:驱动电压不稳定导致MOSFET无法正常工作。
    - 解决方案:检查驱动电路,确保电压稳定。

    7. 总结和推荐


    K3698-01-VB是一款高性能、高可靠性的N沟道超级结MOSFET,具有出色的动态dV/dt等级、反复雪崩额定值和快速开关性能。特别适合用于开关电源、逆变器和电机驱动等场合。通过遵循使用建议和注意事项,可以最大限度地发挥其性能优势。总体而言,这款产品在市场上具有较强的竞争力,值得推荐给需要高效、可靠的电子元件的应用场合。

K3698-01-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 5A
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5Ω(mΩ)
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 900V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 1
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3698-01-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3698-01-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3698-01-VB K3698-01-VB数据手册

K3698-01-VB封装设计

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