处理中...

首页  >  产品百科  >  IXFH44N50P-VB

IXFH44N50P-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,500V,50A,RDS(ON),90mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V)封装:TO247\n凭借其高电压和高电流处理能力以及较低的导通电阻,适用于各种需要高效、高电压和高功率的应用,为电源管理、电机驱动和开关应用
供应商型号: IXFH44N50P-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXFH44N50P-VB

IXFH44N50P-VB概述

    N-Channel 500V Super Junction Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型:本产品为N-通道500V(D-S)超级结功率MOSFET,型号为IXFH44N50P-VB。
    主要功能:该产品具备低栅极电荷、高耐用性等特点,适用于多种高频率和高压开关电路。具体来说,它能够在硬开关和高频电路中实现高效稳定的电力转换。
    应用领域:适用于开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、高速功率开关和硬开关及高频电路等场景。

    2. 技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS 500 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 3.0 5.0 | V |
    | 零栅压漏电流 | IDSS 50 | μA |
    | 开态电阻 | RDS(on) 0.080 Ω |
    | 源极-漏极二极管最大正向电流 | IS 47 | A |
    | 有效输出电容 | Coss eff. 440 pF |

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷:具有低栅极电荷(Qg),简化驱动要求。
    - 高可靠性:改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。
    - 低导通电阻:典型值0.080Ω,使得功率损耗更低。
    - 快速开关:快速的开关特性,适用于高频应用。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:IXFH44N50P-VB MOSFET适用于多种高功率电路设计,例如开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)等。
    使用建议:为了充分发挥其性能,在高频率应用中应注意控制散热,避免过热导致器件损坏。同时建议采用较低的栅极电阻以加快开关速度。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:此产品符合RoHS标准,与大多数电源系统兼容。
    - 技术支持:制造商提供全面的技术支持和售后服务,帮助客户解决使用过程中的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:发热严重?
    - 解决方案:确保良好的散热措施,使用大面积铜箔散热片或散热器。

    - 问题:开启延迟时间过长?
    - 解决方案:调整驱动电路的参数,降低栅极电阻。

    7. 总结和推荐


    IXFH44N50P-VB 是一款高性能的N-通道500V超级结功率MOSFET,特别适合于高频和高功率密度的应用场景。它的低栅极电荷、高可靠性和低导通电阻等特性使其在市场上具有很强的竞争力。综合以上因素,我们强烈推荐使用该产品来满足各种高要求的电力转换需求。

IXFH44N50P-VB参数

参数
栅极电荷 -
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Id-连续漏极电流 50A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ(mΩ)
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
FET类型 2个N沟道
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXFH44N50P-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXFH44N50P-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IXFH44N50P-VB IXFH44N50P-VB数据手册

IXFH44N50P-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 12.5579
100+ ¥ 11.6277
500+ ¥ 10.6975
900+ ¥ 10.2324
库存: 30000
起订量: 5 增量: 300
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 62.78
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504