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65F660-VB TO252

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;N沟道;VDS=700V;ID =10A;RDS(ON)=600mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;可用于汽车电动化系统、发动机控制单元和车载充电设备等汽车电子控制领域中的功率管理和电路保护。
供应商型号: 65F660-VB TO252 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 65F660-VB TO252

65F660-VB TO252概述

    N-Cha (D-S) Super Junction Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    N-Cha (D-S) Super Junction Power MOSFET 是一种高性能的功率场效应晶体管(Power MOSFET),专为高效率应用设计。这类器件具备低导通电阻(Ron)和极低的栅极电荷(Qg),特别适用于服务器和电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电路、以及各类照明和工业控制应用。

    技术参数


    以下是根据手册中的技术参数列出的关键性能指标:
    - 最大漏源电压 (VDS): 700V
    - 最大连续漏电流 (ID): 10A (在TJ = 25°C时)
    - 最大脉冲漏电流 (IMD): 30A
    - 静态漏源击穿电压: 700V
    - 零栅源电压漏电流 (IDSS): ≤ 1μA (在VDS = 650V时)
    - 导通电阻 (RDS(on)): 最大0.5Ω (在VGS = 10V时)
    - 总栅极电荷 (Qg): 最大38nC (在VGS = 10V时)
    - 输入电容 (Ciss): 最大680pF (在VGS = 0V时)
    - 输出电容 (Coss): 参考图表数据
    - 反向传输电容 (Crss): 参考图表数据
    - 热阻 (RthJA): 最大80°C/W
    - 工作温度范围: -55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    该N-Cha (D-S) Super Junction Power MOSFET 具备多项优势:
    - 低导通电阻 (RDS(on)): 实现低功耗和高效转换。
    - 低输入电容 (Ciss): 减少开关损耗,提升整体系统效率。
    - 低栅极电荷 (Qg): 缩短开关时间,减少开关损耗。
    - 高耐雪崩能力 (UIS): 保证在极端条件下的可靠性。
    - 宽工作温度范围: 适应各种恶劣环境,如工业和高功率应用。

    应用案例和使用建议


    此MOSFET 广泛应用于:
    - 服务器和电信电源: 高效率转换,减少能耗。
    - SMPS和PFC电路: 通过低损耗和高效率,提升能效。
    - 照明: 高效驱动 HID 和荧光灯。
    - 工业控制: 在恶劣环境中提供可靠性能。
    使用建议:
    - 确保散热良好,避免热积聚导致损坏。
    - 选择合适的栅极驱动电阻以优化开关时间和降低损耗。
    - 根据实际应用需求,考虑并联多个MOSFET 以应对大电流需求。

    兼容性和支持


    该产品与市面上常见的电源模块和控制器具有良好的兼容性,能够方便地集成到现有系统中。厂商提供了详尽的技术支持文档和售后服务,确保用户在使用过程中得到及时帮助。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何确定最佳栅极驱动电阻?
    A: 通过测试不同电阻值下的开关时间和导通损耗,选择最低损耗且可靠的值。

    - Q: 工作温度超过限定值怎么办?
    A: 使用散热片或风扇加强散热,确保MOSFET 处于安全的工作温度范围内。

    - Q: 遇到高温失效问题怎么办?
    A: 检查散热系统是否有效,确保MOSFET 不受过热影响。

    总结和推荐


    N-Cha (D-S) Super Junction Power MOSFET 是一款卓越的功率MOSFET,具备低损耗、高效率的特点,在各种高功率应用中表现出色。它广泛应用于服务器电源、电信设备和工业控制系统,是提高系统能效和可靠性的理想选择。强烈推荐在需要高效率和可靠性的应用中采用该产品。

65F660-VB TO252参数

参数
栅极电荷 -
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 600mΩ(mΩ)
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 2个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 700V
Id-连续漏极电流 10A
最大功率耗散 -
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

65F660-VB TO252厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

65F660-VB TO252数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 65F660-VB TO252 65F660-VB TO252数据手册

65F660-VB TO252封装设计

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