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FDU6N50-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。适用于汽车电子系统中的电路保护和电源管理,提供稳定可靠的电力支持,确保汽车电子设备的正常运行。TO251;N沟道,650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);
供应商型号: FDU6N50-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDU6N50-VB

FDU6N50-VB概述

    FDU6N50 N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    FDU6N50 是一款 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源转换和电机控制等应用。该器件具有低门极电荷(Qg)特性,从而简化了驱动需求。其独特的设计提供了改进的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性,并且全面表征了其电容和雪崩电压及电流特性。此外,该产品符合 RoHS 指令 2002/95/EC 的要求。

    技术参数


    - VDS(漏源电压): 650V
    - RDS(on)(导通电阻): 0.95Ω (VGS = 10V)
    - Qg(总门极电荷): 最大值 15nC
    - Qgs(门源电荷): 3nC
    - Qgd(门漏电荷): 6nC
    - 栅极源极阈值电压 VGS(th): 2.0V 至 4.0V
    - 最大脉冲门极电流 IGSS: ±100nA (VGS = ±30V)
    - 零门极电压漏极电流 IDSS: 最大值 10µA (VDS = 650V)
    - 最大脉冲漏极电流 IDM: 16A
    - 单脉冲雪崩能量 EAS: 120mJ
    - 最大存储和工作温度范围: -55°C 到 +150°C
    - 最大耗散功率 PD: 205W (TC = 25°C)
    - 漏源体二极管连续源极漏极二极管电流 IS: 最大值 5A
    - 漏源体二极管反向恢复时间 trr: 最大值 180ns

    产品特点和优势


    FDU6N50 具有多项显著特点:
    - 低门极电荷:减少了驱动要求,降低了功耗。
    - 增强的鲁棒性:改进了栅极、雪崩和动态 dv/dt 的耐受性。
    - 全面表征:提供详细的电容和雪崩特性表征,方便设计者进行系统级优化。
    - 环保合规:符合 RoHS 指令,适用于环保标准严格的应用场合。

    应用案例和使用建议


    FDU6N50 可广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。例如,在一个典型的电机驱动应用中,FDU6N50 可以用于高效驱动三相无刷直流电机。建议在使用过程中注意以下几点:
    - 确保合适的散热设计,以防止过热损坏。
    - 选择合适的栅极电阻(RG),以平衡开关速度和能耗。
    - 在高温环境下使用时,考虑适当的降额处理。

    兼容性和支持


    FDU6N50 可以轻松集成到现有的电子系统中,并且与其他常见的 N 沟道 MOSFET 产品具有良好的兼容性。制造商提供详细的技术支持,包括产品手册、参考设计和在线技术支持,以帮助客户快速开发和验证其设计。

    常见问题与解决方案


    - 问题:驱动电流不足,导致开关速度慢。
    解决方案:增加栅极电阻(RG)以提高驱动能力。

    - 问题:过热导致器件失效。
    解决方案:确保合理的散热设计,并适当降额使用。

    总结和推荐


    综上所述,FDU6N50 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET,特别适合于高电压、高功率的应用场合。其独特的设计特点使其在市场上具有很强的竞争优势。我们强烈推荐此产品给那些需要高性能、高可靠性 MOSFET 的用户。

FDU6N50-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 5A
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ(mΩ)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 2个N沟道
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
长*宽*高 11.8mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FDU6N50-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDU6N50-VB数据手册

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FDU6N50-VB封装设计

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