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IXFH18N60P-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;VDS=650V;ID =22A;RDS(ON)=280mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;产品的低导通电阻和高耐压特性使其成为电动汽车充电桩中功率电子器件的理想选择。
供应商型号: IXFH18N60P-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXFH18N60P-VB

IXFH18N60P-VB概述


    产品简介


    产品名称:IXFH18N60P-VB N-Channel 650V MOSFET
    产品类型:此产品属于N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。
    主要功能:
    - 高温条件下稳定运行,最大结温达到150°C。
    - 集成反向二极管,具备快速恢复能力,显著降低开关损耗。
    应用领域:
    - 通信行业:服务器及电信电源供应系统。
    - 照明行业:高强度放电灯照明系统,荧光灯球灯。
    - 消费和计算设备:ATX电源供应。
    - 工业领域:焊接机,电池充电器。
    - 可再生能源:太阳能光伏逆变器。
    - 开关模式电源系统(SMPS)。

    技术参数


    - 最大栅源电压 (VGS): ±30 V
    - 最大漏源电压 (VDS): 650 V
    - 最大连续漏极电流 (ID): 16 A (TC = 100 °C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 53 A
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 367 mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 208 W
    - 绝对最大结温 (TJ): -55°C 至 +150°C
    - 有效输入电容 (Ciss): 2322 pF
    - 最大输出电容 (Coss): 105 pF
    - 有效转移电容 (Crss): 4 pF
    - 总栅电荷 (Qg): 71 nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 14 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 33 nC
    - 栅输入电阻 (Rg): 0.78 Ω

    产品特点和优势


    - 低栅电荷 (Qg):有效的减少了开关损耗,尤其在高频应用中。
    - 低反向恢复时间 (trr) 和 低反向恢复电荷 (Qrr):有助于提高系统效率,减少EMI干扰。
    - 低热阻 (RthJA):有利于高效散热,提升工作稳定性。
    - 反向二极管特性:集成二极管提高了系统的可靠性和抗干扰能力。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:在电源供应系统中,可以利用其低损耗特性和高耐压特性来提升电源系统的整体效率和可靠性。
    - 照明系统:特别是高强度放电灯和荧光灯系统中,可以利用其快速恢复特性来提高灯具的使用寿命。
    - 工业焊接设备:在焊接过程中,可以有效地减少能量损耗,提高焊接质量和效率。
    - 电池充电器:适用于便携式设备的快速充电电路,具有较小的损耗和较高的转换效率。
    - 光伏逆变器:在太阳能发电系统中,可以显著提高能量转换效率,降低系统成本。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应考虑选择合适的驱动电路,以确保栅极电压的稳定性和驱动能力。
    - 需要合理布局电路板,减少寄生电感,保证栅极引线的短且直,以减少信号噪声。
    - 对于大功率应用,需增加散热措施,以确保设备在高温环境下能够稳定工作。

    兼容性和支持


    - 本产品可与其他主流品牌的电源管理IC和其他分立元件良好兼容。
    - 厂商提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的产品手册、应用指南和技术文档。
    - 用户可以通过官方服务热线或网站获取技术支持和问题解答。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何正确选择栅极驱动电阻?
    - A: 选择适当的栅极驱动电阻(Rg),通常根据电路需求在几欧姆到几十欧姆之间选取,以保证良好的开关速度和稳定的栅极电压。
    - Q: 在高功率应用中,如何防止过热?
    - A: 选择合适大小的散热片,并且确保电路板的通风散热,必要时可采用风扇或其他主动冷却方法。
    - Q: 如何避免栅极损坏?
    - A: 确保栅极电压不超过最大额定值,并使用合适的瞬态抑制电路保护栅极。

    总结和推荐


    IXFH18N60P-VB N-Channel MOSFET 在众多应用中展现出卓越的性能和可靠性。其低栅电荷、低反向恢复时间和低损耗特性,使其成为高效电源管理系统和高压切换电路的理想选择。对于需要在高频率和高效率下工作的应用,IXFH18N60P-VB是极佳的选择。
    总体而言,IXFH18N60P-VB以其高性能和广泛的应用范围,完全值得推荐用于各种高压和高效率的应用场合。

IXFH18N60P-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 1
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 280mΩ(mΩ)
Id-连续漏极电流 22A
FET类型 2个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXFH18N60P-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXFH18N60P-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IXFH18N60P-VB IXFH18N60P-VB数据手册

IXFH18N60P-VB封装设计

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100+ ¥ 8.9977
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