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VBL17R10S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO263;N沟道;VDS=700V;ID =10A;RDS(ON)=600mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;用于各种工业自动化系统和控制器,包括机器人、PLC 和工厂自动化设备。
供应商型号: VBL17R10S TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBL17R10S

VBL17R10S概述


    产品简介


    VBL17R10S N-Channel MOSFET
    VBL17R10S 是一种高性能 N 沟道功率 MOSFET,适用于多种电力转换应用。其低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg)使其在开关电源、功率因数校正(PFC)和高亮度放电(HID)照明等领域的表现尤为出色。该产品设计用于提高效率和减少能量损耗,特别适合于服务器、电信电源系统及工业控制应用。

    技术参数


    - 最高耐压 (VDS): 700 V
    - 最大导通电阻 (RDS(on)): 0.5 Ω @ VGS = 10 V, ID = 5 A
    - 总栅极电荷 (Qg): 最大 38 nC
    - 输入电容 (Ciss): 680 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 113 pF
    - 输出电容 (Coss): 63 pF
    - 栅源电荷 (Qgs): 4 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 4.2 nC
    - 连续漏极电流 (ID): 10 A (TJ = 25 °C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 30 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 132 mJ
    - 热阻:
    - 结点到环境 (RthJA): 80 °C/W
    - 结点到外壳 (RthJC): 0.6 °C/W
    - 工作温度范围: -55 °C 至 +150 °C

    产品特点和优势


    VBL17R10S 具有以下显著优势:
    1. 低栅极电荷 (Qg): 减少了开关损耗,提高了效率。
    2. 低输入电容 (Ciss): 减少了驱动器的负担,提升了开关速度。
    3. 高可靠性: 能够承受反复开关和高电流脉冲,具有优秀的长期稳定性。
    4. 优化的散热设计: 极高的热阻值使其在高温环境下仍能保持良好的性能。
    5. 宽泛的工作电压范围: 支持从 0V 到 700V 的工作电压,非常适合多用途应用。

    应用案例和使用建议


    VBL17R10S 在服务器和电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)以及 HID 照明等应用中表现出色。对于这些应用,建议如下:
    - SMPS 设计: 由于其低栅极电荷和高开关速度,它可有效降低功耗,提高系统效率。
    - 工业应用: 在高压和高电流环境下工作时,确保充分的散热设计以防止过热。
    - 照明系统: 高效的开关性能有助于延长灯具寿命并减少维护成本。

    兼容性和支持


    VBL17R10S 与其他标准 D2PAK 封装的电子元器件兼容,适用于多种电路布局和系统设计。制造商提供详尽的技术文档和支持,帮助用户更好地理解和应用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 如何正确测量 VBL17R10S 的栅极电荷?
    - A: 使用专门的测试电路,并参考制造商提供的技术手册。
    2. Q: 如何确保 VBL17R10S 在高电流下稳定运行?
    - A: 采取适当的散热措施,如使用散热片或增加散热风扇,确保结温不超出规定范围。
    3. Q: 如何避免在电路中出现过早损坏?
    - A: 确保所有电气连接正确无误,并遵循制造商的建议进行安装和调试。

    总结和推荐


    VBL17R10S 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道功率 MOSFET,适用于多种电力转换应用。其低栅极电荷、高可靠性和出色的散热性能使其成为市场上极具竞争力的产品。对于需要高效、高功率应用的场合,强烈推荐使用 VBL17R10S。
    希望这篇分析能为您的项目选择合适的电子元器件提供有价值的参考。如有任何疑问或需要进一步的信息,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

VBL17R10S参数

参数
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 10A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 700V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 600mΩ(mΩ)
通道数量 1
配置 -
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 -
长*宽*高 16mm*10.8mm*4.9mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBL17R10S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBL17R10S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBL17R10S VBL17R10S数据手册

VBL17R10S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
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