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FDA24N40F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO3P;N沟道;VDS=600V;ID =47A;RDS(ON)=60mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;用于各种需要高功率和精确控制的工业驱动系统,如大型机械设备的电机控制。
供应商型号: FDA24N40F-VB TO-3PN
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDA24N40F-VB

FDA24N40F-VB概述

    FDA24N40F-VB N-Channel 600V MOSFET 技术手册

    产品简介


    FDA24N40F-VB 是一款高性能的 N 沟道超级结功率 MOSFET。其主要特点是低开关损耗和传导损耗,适用于多种高要求的应用场合。该器件广泛应用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源供应、照明(如高强度放电灯和荧光灯)、工业设备(如焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器及可再生能源系统)等领域。

    技术参数


    - 最大耐压 (VDS):600V
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.06Ω(在 VGS=10V、25°C 条件下)
    - 最大总栅极电荷 (Qg):273nC
    - 最大输出电容 (Coss):251pF
    - 反向传输电容 (Crss):1pF
    - 额定单脉冲雪崩能量 (EAS):1410mJ
    - 最大连续漏极电流 (ID):47A(在 TC=25°C 条件下)
    - 最大脉冲漏极电流 (IMD):142A
    - 最大功耗 (PD):415W
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 +150°C
    - 峰值焊接温度 (对于 10 秒):300°C

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷 (Qg):273nC,有效降低开关损耗。
    - 低输入电容 (Ciss):5682pF,减少驱动器的功率消耗。
    - 超低栅极电荷 (Qg):182nC,进一步减少能耗。
    - 重复额定雪崩能量 (EAS):1410mJ,增强了器件的可靠性和稳定性。
    - 快速恢复二极管 (Qrr):最大值为 28μC,适合高频应用。

    应用案例和使用建议


    该器件适用于多种高效率、高频率的应用,如高功率开关电源。例如,在数据中心的服务器电源供应中,FDA24N40F-VB 可以显著提高能效,减少发热量。在太阳能光伏逆变器中,其快速恢复特性和低损耗可以确保更高的转换效率。使用时建议:
    - 确保散热系统良好,以防止过热。
    - 在设计电路时考虑减少寄生电感,以改善开关性能。
    - 使用低漏电电感的地平面,以避免电磁干扰。

    兼容性和支持


    该器件符合 RoHS 和无卤素标准,与大多数高效率电源设计兼容。制造商提供全面的技术支持和售后服务,帮助客户解决在使用过程中遇到的各种问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1:如何处理过热问题?
    - 解决方案:优化散热设计,增加散热片或风扇,保持器件温度在安全范围内。
    - 问题 2:如何优化开关速度?
    - 解决方案:减少驱动电阻 (Rg),并确保电路布局尽可能减小寄生电感。
    - 问题 3:如何选择合适的驱动电压?
    - 解决方案:确保 VGS 电压大于阈值电压(通常为 2V 到 4V),以实现最佳性能。

    总结和推荐


    FDA24N40F-VB N 沟道 MOSFET 凭借其低开关损耗、高可靠性、快速恢复特性和良好的兼容性,非常适合各种高要求的应用场合。我们强烈推荐在需要高效率和高性能的场合中使用该器件。通过上述的应用实例和使用建议,相信您可以更好地利用这一出色的电力电子元件。

FDA24N40F-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 60mΩ(mΩ)
Id-连续漏极电流 47A
Vds-漏源极击穿电压 600V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
配置 -
长*宽*高 40.1mm*15.7mm*4.9mm
通用封装 TO-3PN
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FDA24N40F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDA24N40F-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FDA24N40F-VB FDA24N40F-VB数据手册

FDA24N40F-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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型号 价格(含增值税)
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