处理中...

首页  >  产品百科  >  RJK4036DP3-A0-VB

RJK4036DP3-A0-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。SOT223;N沟道;VDS=650V;ID =4A;RDS(ON)=2000mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=2500mΩ@VGS=4.5V;VGS=±30V;Vth=3.5V;在汽车电子系统中,如车载电源管理、车灯控制等方面有应用。
供应商型号: RJK4036DP3-A0-VB SOT223-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) RJK4036DP3-A0-VB

RJK4036DP3-A0-VB概述

    RJK4036DP3-A0 Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    RJK4036DP3-A0 是一款 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 SOT-223 封装形式。这款 MOSFET 主要用于电源管理、电机驱动、直流转换等领域。其设计注重低栅极电荷、增强栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐久性,适用于需要高效率和可靠性的应用场景。

    技术参数


    以下是 RJK4036DP3-A0 的主要技术参数:
    - 额定电压 (VDS): 650V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 在 VGS = 10V 时为 2.1Ω
    - 总栅极电荷 (Qg): 最大值为 48nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 12nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 19nC
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 最大结壳温差热阻 (RthJC): 2.1°C/W
    - 最大结壳温差热阻 (RthJA): 65°C/W
    - 最大脉冲电流 (IDM): 16A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 325mJ
    - 最大耗散功率 (PD): 60W

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷 (Qg): 减少了驱动需求,提高了能效。
    2. 增强的耐久性: 包括栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐久性,确保长期可靠性。
    3. 全面的电容和雪崩特性: 雪崩电压和电流均经过充分验证。
    4. 符合 RoHS 指令: 产品材料不含有害物质,适合环保要求高的应用。

    应用案例和使用建议


    1. 电源管理: RJK4036DP3-A0 可用于 DC-DC 转换器,提供高效的电源管理和低功耗运行。
    2. 电机驱动: 其高耐压能力和高可靠性使其成为电机驱动电路的理想选择。
    3. 直流转换: 适用于高功率密度的应用,如工业电源和服务器电源系统。
    使用建议:
    - 确保驱动电路的稳定性,以避免过高的栅极电荷引起的干扰。
    - 优化散热设计,特别是对于高功率应用场景,确保结温不超出安全范围。
    - 在设计驱动电路时,考虑负载的瞬态响应和雪崩特性,以保证系统的稳定性和可靠性。

    兼容性和支持


    RJK4036DP3-A0 与多种常见的电源管理和驱动电路兼容,且提供全面的技术支持。制造商提供了详尽的技术文档和测试报告,方便用户进行设计和集成。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关过程中的损耗过高。
    - 解决方案: 检查驱动电路的设计,确保适当的栅极电阻和驱动电压,以减少开关损耗。
    2. 问题: 在高功率应用中出现过热现象。
    - 解决方案: 优化散热设计,增加散热片或者使用外部冷却风扇,确保结温不超过允许的最大值。
    3. 问题: 瞬态响应时间过长。
    - 解决方案: 检查驱动电路的布局,减少杂散电感,增加接地平面面积,以提高瞬态响应速度。

    总结和推荐


    RJK4036DP3-A0 N-Channel MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元器件,适用于各种高要求的应用场景。其低栅极电荷、增强的耐久性和全面的雪崩特性使其在市场上具有显著的竞争优势。强烈推荐在需要高效、可靠的电源管理和电机驱动应用中使用该产品。

RJK4036DP3-A0-VB参数

参数
最大功率耗散 -
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 2Ω(mΩ)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 4A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
长*宽*高 7.3mm*6.8mm*1.9mm
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

RJK4036DP3-A0-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

RJK4036DP3-A0-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 RJK4036DP3-A0-VB RJK4036DP3-A0-VB数据手册

RJK4036DP3-A0-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
2500+ ¥ 1.6556
库存: 400000
起订量: 15 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 29.15
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336