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K961-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。在太阳能逆变器和风力发电控制系统中,该型号的MOSFET可用于电源转换和电能调节,提高新能源系统的效率和稳定性。\nTO220;N沟道,900V;5A;RDS(ON)=1500mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: K961-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K961-VB

K961-VB概述


    产品简介


    K961 N-Channel MOSFET 是一款高性能的硅超结功率MOSFET,专为高效率电力转换应用设计。此MOSFET具备低导通电阻(RDS(on))和快速开关速度的特点,适用于各种高频开关电源、电机驱动和逆变器等领域。

    技术参数


    - 基本规格:
    - 漏源电压 (VDS): 900 V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 2.0 - 4.0 V
    - 最大栅源泄漏电流 (IGSS): ±100 nA
    - 零栅电压漏电流 (IDSS): 100 μA (VDS = 800 V)

    - 静态特性:
    - 漏源击穿电压 (VDS): 900 V (ID = 250 μA)
    - 导通电阻 (RDS(on)): 1.3 Ω (VGS = 10 V)
    - 输出电荷 (Qg): 200 nC (ID = 3.8 A)
    - 栅源电荷 (Qgs): 24 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 110 nC

    - 动态特性:
    - 输入电容 (Ciss): 3100 pF
    - 输出电容 (Coss): 800 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 490 pF
    - 开关时间:
    - 开启延迟时间 (td(on)): 19 ns
    - 上升时间 (tr): 38 ns
    - 关断延迟时间 (td(off)): 120 ns
    - 下降时间 (tf): 39 ns
    - 热阻抗:
    - 结至环境的最大热阻 (RthJA): 40 °C/W
    - 结至散热片 (RthCS): 0.24 °C/W
    - 结至外壳 (RthJC): 0.65 °C/W
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS): 900 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 连续漏极电流 (ID): 5 A (TC = 25 °C), 3.9 A (TC = 100 °C)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 770 mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR): 7.8 A
    - 重复雪崩能量 (EAR): 19 mJ
    - 最大功耗 (PD): 190 W (TC = 25 °C)
    - 封装与安装:
    - 封装: TO-220AB
    - 安装孔距: 1.6 mm
    - 安装扭矩: 10 lbf·in (1.1 N·m)

    产品特点和优势


    - 动态 dv/dt 速率 和 重复雪崩额定值 提升了产品的可靠性和耐用性。
    - 易并联 和 简单的驱动要求 使得该MOSFET易于集成到现有系统中。
    - 符合RoHS指令,环保且安全。
    - 快速开关 特点使得其适用于高频应用。
    - 中央安装孔 确保了更好的散热效果,增强了整体稳定性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    该MOSFET广泛应用于各类高频开关电源、电机驱动和逆变器等领域。例如,在电机驱动中,它能有效提高系统的转换效率和可靠性。而在高频开关电源中,它可以显著减少损耗,提高电源效率。
    使用建议
    - 注意散热:尽管该MOSFET具有良好的散热性能,但在高负载条件下仍需使用适当的散热措施以避免过热。
    - 驱动电路设计:确保驱动电路设计合理,避免信号干扰和不稳定情况的发生。
    - 考虑并联应用:如果需要处理大电流,可以考虑将多个MOSFET并联使用。

    兼容性和支持


    该MOSFET采用标准的TO-220AB封装,容易与现有的电路板进行兼容。此外,VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,以帮助客户解决使用过程中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - Q: 开关过程中的损耗如何降低?
    - A: 通过优化驱动电路和改善散热设计,可以有效降低开关过程中的损耗。

    - Q: 如何提高系统的整体可靠性?
    - A: 选择合适的驱动方式、加强散热设计,并在必要的时候并联使用多个MOSFET,可显著提高系统可靠性。

    总结和推荐


    K961 N-Channel MOSFET 在高频率电力转换应用中表现出色,具有低导通电阻、快速开关和易并联等特点。无论是电机驱动还是高频开关电源,它都是一个理想的选择。建议在进行应用前充分了解其技术参数和使用条件,以充分发挥其性能优势。总体而言,我们强烈推荐该产品用于各种高要求的应用场合。

K961-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 900V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 2个N沟道
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 5A
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5Ω(mΩ)
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K961-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K961-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K961-VB K961-VB数据手册

K961-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
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起订量: 10 增量: 1000
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