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520N15N-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。DFN8(3X3);N沟道;VDS=150V;ID =25.5A;RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;适用于电动工具的控制模块,如电动钻、电动锯等。其稳定的性能和高效的特性能够满足电动工具对功率控制和效率的要求。
供应商型号: 520N15N-VB QFN8(3X3)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 520N15N-VB

520N15N-VB概述


    产品简介


    N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 是一款高性能的场效应晶体管(FET),特别适用于电力转换和控制领域。这种 MOSFET 使用 TrenchFET® 技术,结合ThunderFET技术,能够在低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg)之间取得平衡,同时提供优秀的开关速度(Qsw和Qoss)。它的主要功能包括开关电路、同步整流、直流转换、电机驱动控制和负载开关等,广泛应用于各种电子设备和系统中。

    技术参数


    - 额定电压:150V (VDS)
    - 最大连续漏极电流:25.5A (ID)(TA=25°C时)
    - 最小关断漏极电流:1μA (IDSS) (VDS=150V, VGS=0V)
    - 导通电阻:0.035Ω(VGS=10V时)
    - 总栅极电荷:8.5nC(Qg)
    - 阈值电压:2V - 4V (VGS(th))
    - 工作温度范围:-55°C 到 +150°C (TJ, Tstg)

    产品特点和优势


    N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 的主要特点和优势包括:
    - 高效率:通过 TrenchFET® 和 ThunderFET 技术,实现了低导通电阻和低栅极电荷,从而提高整体效率。
    - 高可靠性:100% Rg 和 UIS 测试确保了高可靠性和耐用性。
    - 快速开关:优秀的动态特性使得它非常适合高频应用。
    - 宽温度范围:能够在极端温度下稳定工作,适应多种应用场景。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源转换:在开关电源中作为主侧开关,能够实现高效能的转换。
    - 电机控制:用于电机驱动控制,提升系统的控制精度和稳定性。
    - 负载开关:用于电源管理和保护,实现可靠的负载切换。
    使用建议:
    - 在使用前务必检查所有绝对最大额定值,并确保不超过这些限制以避免损坏。
    - 对于需要长时间工作的场合,建议增加散热措施以降低温升。

    兼容性和支持


    这款 MOSFET 可以方便地与现有的许多电子系统集成,具有广泛的兼容性。制造商提供了详尽的技术支持文档和用户指南,帮助用户更好地理解和应用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:产品温度超过最高额定值导致损坏。
    - 解决方案:增加散热措施,例如添加散热片或风扇。

    - 问题2:在高功率状态下工作不稳定。
    - 解决方案:确认负载是否符合产品规格,增加适当的散热措施以保持工作温度在安全范围内。

    总结和推荐


    N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 凭借其高效的开关性能和广泛的适用范围,是电力转换和控制系统中不可或缺的组件。其在高温和极端条件下表现出色,且具有较高的可靠性和耐用性,非常适合多种应用场景。综上所述,我们强烈推荐此款产品给需要高性能 MOSFET 的用户。

520N15N-VB参数

参数
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 150V
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 35mΩ(mΩ)
Id-连续漏极电流 25.5A
FET类型 2个N沟道
通道数量 1
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
长*宽*高 5.3mm*6.2mm*1mm
通用封装 DFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

520N15N-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

520N15N-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 520N15N-VB 520N15N-VB数据手册

520N15N-VB封装设计

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