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K1518-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO3P;N沟道;VDS=600V;ID =20A;RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;用于LED照明产品中的控制器模块,提供LED灯珠所需的电力输出。
供应商型号: K1518-VB TO-3PF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1518-VB

K1518-VB概述


    产品简介


    K1518-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的 N-Channel 600 V 超级结场效应晶体管(Super Junction MOSFET),专为高效率、高可靠性电源转换应用而设计。该产品广泛应用于电信、照明、消费电子、工业控制、可再生能源等领域,特别适用于服务器和通信电源供应、高强度放电(HID)灯和荧光灯镇流器、ATX 电源供应、焊接设备、电池充电器及太阳能光伏逆变器等应用。

    技术参数


    - 基本特性:
    - 降低的反向恢复时间(trr)、恢复电荷(Qrr)和最大重复浪涌电流(IRRM)
    - 低导通电阻与栅极电荷的乘积(Ron x Qg)
    - 低输入电容(Ciss)
    - 由于恢复电荷减小而导致的低开关损耗
    - 极低的栅极电荷(Qg)
    - 雪崩能量额定值(UIS)
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压(VDS):600 V
    - 栅源电压(VGS):±30 V
    - 连续漏极电流(TJ = 150 °C):ID = 2 A(Tc = 25 °C),ID = 13 A(Tc = 100 °C)
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):367 mJ
    - 最大功耗(PD):208 W
    - 工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg):-55 °C 至 +150 °C
    - 典型特性:
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):在 25 °C 时,VGS = 10 V 下的典型值为 0.19 Ω
    - 栅极电荷(Qg):最大值为 106 nC
    - 栅源电荷(Qgs):14 nC
    - 栅漏电荷(Qgd):33 nC

    产品特点和优势


    K1518-VB MOSFET 在多个方面展现了显著的优势:
    1. 高效率:通过减少恢复时间和恢复电荷,有效降低了开关损耗,提高了整体系统的能效。
    2. 低导通电阻:在标准条件下,RDS(on) 的典型值仅为 0.19 Ω,保证了高效率的功率传输。
    3. 超低栅极电荷:低栅极电荷降低了驱动功耗,有利于提高系统整体效率。
    4. 广泛的应用范围:能够胜任多种复杂且严苛的工作环境,具备良好的可靠性和稳定性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 服务器和通信电源供应:K1518-VB MOSFET 可以有效地提高电源转换效率,满足数据中心对高能效和稳定性的需求。
    - 高强度放电(HID)灯和荧光灯镇流器:低开关损耗和高可靠性使得该产品非常适合用于照明系统。
    - ATX 电源供应:由于其低导通电阻和高效能,K1518-VB 可以提升计算机电源系统的整体性能。
    - 太阳能光伏逆变器:该产品在转换效率和可靠性方面的优势使其成为光伏系统的理想选择。
    使用建议:
    - 确保驱动电压在安全范围内(VGS = 10 V)。
    - 使用适当的散热措施以避免过热。
    - 系统布局应考虑低寄生电感和地平面的设计以优化性能。

    兼容性和支持


    K1518-VB MOSFET 与同类的电子元器件和设备具有良好的兼容性,可以轻松集成到现有的系统中。厂商提供了详细的技术支持和维护服务,确保用户能够获得最佳的使用体验。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何正确测量 MOSFET 的栅极电荷?
    - 解决方案:参考产品手册中的测试电路图进行测量。确保使用正确的电压和频率设置。
    问题2:MOSFET 在高温环境下工作时出现过热现象。
    - 解决方案:使用散热器或其他冷却装置,确保 MOSFET 工作在规定的温度范围内。

    总结和推荐


    综上所述,K1518-VB MOSFET 具有高效率、低损耗、高可靠性等显著优点,是众多应用领域的理想选择。无论是服务器和通信电源供应、工业控制系统还是可再生能源系统,这款 MOSFET 都表现出色。我们强烈推荐用户在合适的项目中选用 K1518-VB MOSFET,以实现更高效、更可靠的电源管理。

K1518-VB参数

参数
FET类型 2个N沟道
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ(mΩ)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 20A
Vds-漏源极击穿电压 600V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
长*宽*高 40.1mm*15.7mm*4.9mm
通用封装 TO-3PF
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1518-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1518-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1518-VB K1518-VB数据手册

K1518-VB封装设计

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