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K100A10N1-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;N沟道;VDS=100V;ID =120A;RDS(ON)=3.7mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;适用于需要处理高电压和高电流的应用领域,包括电动车电源控制模块、工业电源模块、电动工具控制模块和太阳能逆变器模块等,在这些模块中能够发挥出良好的性能和稳定性。
供应商型号: K100A10N1-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K100A10N1-VB

K100A10N1-VB概述

    K100A10N1-VB N-Channel 100 V MOSFET 技术手册

    产品简介


    K100A10N1-VB 是一种高性能的 N 沟道 MOSFET,专为高可靠性应用设计。它采用先进的 TrenchFET® Power MOSFET 技术,具有低热阻封装。这种 MOSFET 广泛应用于各种电力电子系统,如开关电源、电机驱动、工业自动化等领域。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS): 100 V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 2.5 V 至 3.5 V
    - 最大连续漏极电流 (ID): 120 A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 480 A
    - 最大单脉冲雪崩电流 (IAS): 73 A
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 266 mJ
    - 最大功耗 (PD): 84 W (TC = 25°C), 35 W (TC = 125°C)
    - 最高工作结温和存储温度 (TJ, Tstg): -55°C 至 +175°C
    - 结到环境热阻 (RthJA): 40°C/W (安装在1英寸方形PCB上)
    - 结到外壳热阻 (RthJC): 0.6°C/W

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® Power MOSFET 技术:确保低导通电阻和高可靠性的设计。
    2. 低热阻封装:通过减少热量积聚,提高了设备的工作效率和可靠性。
    3. 100% 测试验证:所有产品均经过 Rg 和 UIS 测试,保证质量和一致性。
    4. 宽温度范围:在极端温度条件下依然保持稳定性能。

    应用案例和使用建议


    K100A10N1-VB 适用于多种高功率电子设备。例如,在电机驱动电路中,可以通过以下配置来提升性能:
    ```plaintext
    G
    |
    D
    |
    S
    ```
    使用建议:
    1. 散热管理:由于较高的电流容量,务必确保良好的散热措施以避免过热损坏。
    2. 电压保护:考虑使用外部稳压器或保险丝以防止电压瞬变对设备造成损害。
    3. 电路布局:合理布局电路板,确保引脚间的距离足够大,避免电气干扰。

    兼容性和支持


    K100A10N1-VB 具有广泛的兼容性,适用于大多数标准的电子设备。公司提供详尽的技术支持,包括在线文档、电话支持和技术论坛。更多信息可访问 [www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:启动时 MOSFET 烧毁。
    解决方案:检查电路布局和散热措施,确保无短路现象。
    2. 问题:发热严重。
    解决方案:使用散热片或其他散热设备以改善散热效果。
    3. 问题:电流不稳定。
    解决方案:检查电路中是否有杂散电感,尽量减小杂散电感的影响。

    总结和推荐


    K100A10N1-VB 是一款高性能、高可靠的 N 沟道 MOSFET,适用于高功率电子设备的应用。它的低导通电阻和高可靠性使其在工业和商业应用中表现优异。如果您需要一个稳定且高效的电力控制解决方案,强烈推荐使用 K100A10N1-VB。更多详细信息和技术支持可联系服务热线:400-655-8788。

K100A10N1-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Id-连续漏极电流 120A
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 1
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 3.7mΩ(mΩ)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K100A10N1-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K100A10N1-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K100A10N1-VB K100A10N1-VB数据手册

K100A10N1-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 6.299
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