处理中...

首页  >  产品百科  >  FQP4N90-VB

FQP4N90-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。在太阳能逆变器和风力发电控制系统中,该型号的MOSFET可用于电源转换和电能调节,提高新能源系统的效率和稳定性。 TO220;N沟道,900V;5A;RDS(ON)=1500mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: FQP4N90-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQP4N90-VB

FQP4N90-VB概述

    FQP4N90-VB MOSFET 技术手册

    产品简介


    FQP4N90-VB 是一款 N 沟道超级结 MOSFET,具有高击穿电压(900V)和低导通电阻(1.3Ω)。这款 MOSFET 主要用于电源管理、电机驱动和照明系统等领域。其独特的设计使其在高电压、大电流应用中表现出色,同时具备快速开关能力和低功耗。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 击穿电压 VDS | 900 V |
    | 导通电阻 RDS(on) 1.3 Ω |
    | 总栅极电荷 Qg 200 | nC |
    | 输入电容 Ciss 3100 pF |
    | 输出电容 Coss 800 | pF |
    | 反向转移电容 Crss 490 pF |
    | 峰值二极管恢复电压 2.0 | V/ns|
    | 最大功率耗散 PD 190 | W |

    产品特点和优势


    - 动态 dv/dt 额定值:FQP4N90-VB 具有高的 dv/dt 额定值,使其能够在高压环境中可靠运行。
    - 重复雪崩额定值:能够承受重复雪崩,保证了长期可靠性。
    - 隔离中央安装孔:简化了散热设计,提高了机械稳定性。
    - 快速开关:具备低开关损耗和高能效。
    - 并联简单:易于实现多管并联。
    - 驱动要求简单:降低了外部电路复杂度。
    - 符合 RoHS 规范:环保设计,适用于欧洲市场。

    应用案例和使用建议


    FQP4N90-VB 在以下应用中表现优秀:
    - 电源管理:如 DC/DC 转换器和开关电源。
    - 电机驱动:如电动车、风扇等设备的电机控制。
    - 照明系统:如 LED 照明系统的逆变器。
    使用建议:
    - 在高电流环境下,注意 PCB 设计,避免过多的寄生电感。
    - 使用散热良好的散热器,以提高器件的可靠性和使用寿命。
    - 连接时注意引脚布局,确保良好的电气连接。

    兼容性和支持


    FQP4N90-VB 与同类产品兼容,制造商提供全面的技术支持和维护服务。通过官方网站和技术支持热线(400-655-8788),用户可以获取详尽的技术文档和故障排除指南。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 加强散热措施,选择合适的散热器。 |
    | 开关损耗大 | 优化驱动电路设计,减少导通时间和关断时间。 |
    | 系统稳定性差 | 检查电路布局,减小寄生电感。 |

    总结和推荐


    FQP4N90-VB 以其卓越的电气性能和可靠性,在多种高电压、大电流应用中表现出色。其快速开关能力、简单的并联方式和良好的散热性能使其成为电源管理和电机控制领域的优选。鉴于其优良的表现,我们强烈推荐此产品用于高要求的应用场合。

FQP4N90-VB参数

参数
栅极电荷 -
FET类型 2个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 900V
通道数量 1
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5Ω(mΩ)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 5A
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FQP4N90-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQP4N90-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FQP4N90-VB FQP4N90-VB数据手册

FQP4N90-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 68.02
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336