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2SK1169-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO3P;N沟道;VDS=600V;ID =20A;RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;用于LED照明产品中的控制器模块,提供LED灯珠所需的电力输出。
供应商型号: 2SK1169-VB TO-3PF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK1169-VB

2SK1169-VB概述


    产品简介


    2SK1169-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道超级结功率MOSFET。该产品适用于多种高要求的应用领域,如电信、照明、消费电子、工业设备以及可再生能源系统。它的主要功能是通过提供低损耗的电源转换解决方案来满足现代电力电子系统的高效能需求。作为超级结MOSFET,它具备卓越的导通电阻和开关速度,能够在较高的电压和电流条件下稳定工作。

    技术参数


    以下是2SK1169-VB的主要技术参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 600 | V |
    | 门极源极阈值电压 | VGS(th) | 2 | 4 | - | V |
    | 开启门极电压 | VGS | ±30 V |
    | 持续漏极电流(TJ=150℃) | ID | 0 | 13 | 53 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | 367 | - | mJ |
    | 正向导通电阻 | RDS(on) | 0.19 - | Ω |
    | 门极电荷 | Qg | - | 71 | 106 | nC |
    | 输入电容 | Ciss | - | 2322 | - | pF |
    | 门极-源极电荷 | Qgs | - | 14 | - | nC |
    | 门极-漏极电荷 | Qgd | - | 33 | - | nC |
    | 源极-漏极二极管反向恢复时间 | trr | - | 160 | - | ns |
    | 反向恢复电荷 | Qrr | - | 1.2 | - | μC |
    | 反向恢复电流 | IRRM | - | 14 | - | A |

    产品特点和优势


    2SK1169-VB具有以下显著优势:
    - 低反向恢复时间和反向恢复电荷:有助于减少开关损耗,提高效率。
    - 低门极电荷:减少驱动功耗,提高系统的整体效率。
    - 低输入电容:减少高频干扰,提高电路稳定性。
    - 超低门极电荷:减少驱动功耗,提高系统的整体效率。
    - 雪崩能量额定值:保证在极端条件下的可靠性。
    这些特点使2SK1169-VB成为各类高要求应用的理想选择,特别适用于需要高效能和高可靠性的场合。

    应用案例和使用建议


    2SK1169-VB广泛应用于多个领域,具体如下:
    - 电信行业:服务器和电信电源供应,确保电信设备的高可靠性。
    - 照明行业:适用于高强度放电灯(HID)和荧光灯泡照明系统,提供高效能的电源转换。
    - 消费和计算设备:ATX电源供应,为计算机提供可靠的电源管理。
    - 工业设备:适用于焊接和电池充电器,确保高效和稳定的电源转换。
    - 可再生能源:光伏逆变器,为太阳能发电系统提供高效的能量转换。
    - 开关模式电源供应:用于各种电源供应系统,提高系统的整体效率。
    使用建议:
    - 在设计开关电源时,应考虑散热设计以确保MOSFET正常工作。
    - 在高频率应用中,注意寄生电感的影响,合理布局以减少杂散电感。

    兼容性和支持


    2SK1169-VB与大多数标准电源管理和控制系统兼容。厂商提供全面的技术支持,包括详细的安装指南、测试报告和技术文档。如果遇到任何问题,用户可以联系VBsemi的服务热线进行技术支持和咨询服务。

    常见问题与解决方案


    Q: 如何处理过热问题?
    A: 确保良好的散热设计,使用合适的散热器,并在必要时增加风扇辅助散热。
    Q: 为什么我的系统会出现异常噪音?
    A: 检查电路布局,特别是地线和电源线的连接,确保无杂散电感干扰。
    Q: 开关过程出现不稳定现象怎么办?
    A: 调整门极电阻值,确保门极信号稳定;检查电路中是否存在电磁干扰源。

    总结和推荐


    2SK1169-VB凭借其出色的电气特性和广泛的应用范围,在现代电力电子系统中表现出色。它的高可靠性和高效能使其成为电信、照明、消费电子、工业设备及可再生能源领域的理想选择。总体而言,强烈推荐2SK1169-VB作为高性能电源转换和控制应用的首选产品。

2SK1169-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 20A
Vds-漏源极击穿电压 600V
通道数量 1
FET类型 2个N沟道
最大功率耗散 -
配置 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ(mΩ)
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
长*宽*高 40.1mm*15.7mm*4.9mm
通用封装 TO-3PF
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SK1169-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK1169-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK1169-VB 2SK1169-VB数据手册

2SK1169-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 14.3519
100+ ¥ 13.2888
500+ ¥ 12.2257
900+ ¥ 11.6941
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