处理中...

首页  >  产品百科  >  IXTH28N50Q-VB

IXTH28N50Q-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,500V,50A,RDS(ON),90mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V)封装:TO247\n凭借其高电压和高电流处理能力以及较低的导通电阻,适用于各种需要高效、高电压和高功率的应用,为电源管理、电机驱动和开关应用
供应商型号: IXTH28N50Q-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXTH28N50Q-VB

IXTH28N50Q-VB概述

    IXTH28N50Q-VB N-Channel 500V(D-S) Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    IXTH28N50Q-VB 是一款高性能的 N-Channel 超级结功率 MOSFET,设计用于多种高效率应用。它具有低导通电阻(RDS(on))和出色的栅极电荷(Qg),能够提供卓越的开关性能。这款 MOSFET 主要应用于开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、高速功率开关和硬开关及高频电路。

    技术参数


    - 电压参数
    - 漏源电压 (VDS): 500 V
    - 栅源电压 (VGS): ± 30 V
    - 最大连续漏电流 (ID):
    - TC = 25°C: 40 A
    - TC = 100°C: 25 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 910 mJ
    - 最大峰值二极管恢复电压 (dV/dt): 9.0 V/ns
    - 电气特性
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10 V 时: 0.080 Ω
    - 输入电容 (Ciss):
    - f = 1.0 MHz: 8310 pF
    - 输出电容 (Coss):
    - f = 1.0 MHz: 960 pF
    - 门源电荷 (Qg): 350 nC
    - 门源电荷 (Qgs): 85 nC
    - 门漏电荷 (Qgd): 180 nC
    - 热阻
    - 最大结壳热阻 (RthJC): 0.23 °C/W
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): 40 °C/W
    - 器件到散热器热阻 (RthCS): 0.24 °C/W
    - 其他参数
    - 全面测试过的结电容和雪崩电压、电流
    - 符合 RoHS 指令 2002/95/EC

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷:IXTH28N50Q-VB 的低栅极电荷减少了驱动要求,简化了驱动电路设计。
    - 增强的坚固性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐受性,使其在极端条件下也能稳定工作。
    - 低导通电阻:RDS(on) 仅为 0.080 Ω(VGS = 10 V 时),确保高效能耗。
    - 全面测试:结电容和雪崩电压、电流都经过全面测试,保证性能可靠。

    应用案例和使用建议


    - 开关模式电源 (SMPS):在高频率转换和高效率需求的应用中表现出色。
    - 不间断电源 (UPS):提供稳定的电力输出,适合数据中心等关键负载。
    - 高速功率开关:在高频开关应用中,如通信基础设施和服务器电源中表现优异。
    使用建议:
    - 确保散热良好,避免过热导致损坏。
    - 配合合适的栅极驱动电路,以减少功耗并提高效率。
    - 在高频应用中,注意 PCB 设计,减少寄生电感。

    兼容性和支持


    - 兼容性:本产品可以与大多数标准栅极驱动器和保护电路兼容。
    - 技术支持:台湾 VBsemi 电子公司提供了详尽的技术文档和支持,帮助客户快速解决问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1:如何选择合适的栅极驱动器?
    - 解决方案:建议使用与 VDS 和 IDS 额定值匹配的驱动器,并参考手册中的推荐值。

    - 问题 2:在高温环境下如何避免过热?
    - 解决方案:使用高效的散热器,并确保良好的气流和散热路径。

    总结和推荐


    IXTH28N50Q-VB 是一款优秀的 N-Channel 超级结功率 MOSFET,具有低导通电阻、低栅极电荷和出色的耐久性。适用于多种高效率和高频应用场合。通过良好的设计和充分的测试,它在可靠性方面表现出色。总体而言,我们强烈推荐该产品用于需要高效率和高性能的电路设计中。

IXTH28N50Q-VB参数

参数
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ(mΩ)
最大功率耗散 -
通道数量 1
Id-连续漏极电流 50A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
栅极电荷 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXTH28N50Q-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXTH28N50Q-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IXTH28N50Q-VB IXTH28N50Q-VB数据手册

IXTH28N50Q-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 12.5579
100+ ¥ 11.6277
500+ ¥ 10.6975
900+ ¥ 10.2324
库存: 30000
起订量: 5 增量: 300
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 62.78
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0