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UTT100P03L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220;P沟道;VDS=-30V;ID =-100A;RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=5mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-3V;可以用作开关电源中的功率开关器件
供应商型号: UTT100P03L-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTT100P03L-VB

UTT100P03L-VB概述

    UTT100P03L P-Channel 30V MOSFET 技术手册

    产品简介


    UTT100P03L 是一款适用于多种应用场合的 P 沟道增强型 30V(D-S)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它广泛应用于汽车电子、工业控制、电源管理等领域,作为开关器件使用。该 MOSFET 具有高可靠性、低导通电阻和低栅极电荷的特点,能够实现高效、稳定的电流控制。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS): 30 V
    - 最大持续漏电流 (ID):
    - TC = 25 °C: - A
    - TC = 125 °C: - 80 A
    - 最大脉冲漏电流 (IDM): 300 A
    - 最大重复雪崩能量 (EAR): 180 mJ
    - 最大功率耗散 (PD):
    - TC = 25 °C (TO-220AB 和 TO-263): 187 W
    - TA = 25 °C (TO-263): 3.75 W
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55 °C 至 175 °C
    - 热阻抗 (RthJA):
    - PCB 安装 (TO-263): 40 °C/W
    - 自由空气 (TO-220AB): 62.5 °C/W
    - 热阻抗 (RthJC): 0.8 °C/W
    - 最大栅源电压 (VGS): ±20 V

    产品特点和优势


    1. 高可靠性: UTT100P03L 符合 RoHS 规范,不含铅,保证了产品的环保和可靠性。
    2. 低导通电阻 (RDS(on)): 在 VGS = -10 V 下,RDS(on) 为 0.004 Ω,适合需要低损耗的应用场景。
    3. 快速开关特性: 具有短的开启时间和关闭时间,适合高频应用。
    4. 良好的热稳定性: 热阻抗较低,能够在宽泛的工作温度范围内稳定运行。
    5. 安全工作区: 该 MOSFET 设计有较大的安全工作区,可在短时间内承受大电流和电压冲击。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 用于汽车电子系统的电机控制
    - 用于工业自动化中的驱动电路
    - 用于电源转换中的开关元件
    - 使用建议:
    - 在设计电路时,应考虑到 MOSFET 的最大漏源电压和最大连续漏电流,确保工作在安全范围内。
    - 由于该 MOSFET 的导通电阻很低,可以减少损耗并提高效率。
    - 注意散热,特别是在高功率应用中,使用合适的散热片或散热器以降低工作温度,延长使用寿命。

    兼容性和支持


    - 兼容性: UTT100P03L 可与标准 TO-220AB 和 TO-263 封装兼容,适用于大多数标准电路板布局。
    - 支持: 厂商提供全面的技术支持和售后服务,包括产品咨询、设计支持和技术培训。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1: 开关时出现过高的漏电流。
    - 解决方案: 检查栅极驱动信号是否足够强,确保驱动电压高于栅源阈值电压。
    - 问题 2: 在高电流情况下,MOSFET 过热。
    - 解决方案: 使用适当的散热措施,如增加散热片或使用更大的散热器。
    - 问题 3: 长时间工作后,MOSFET 导通电阻增大。
    - 解决方案: 确保散热良好,避免长时间处于高温环境下。

    总结和推荐


    UTT100P03L 是一款高性能、高可靠性的 P 沟道 MOSFET,特别适用于需要低导通电阻和快速开关特性的应用场合。其优异的电气特性、良好的热稳定性以及全面的支持使其成为工业控制和电源管理领域的理想选择。综上所述,强烈推荐使用 UTT100P03L 在相关应用中。

UTT100P03L-VB参数

参数
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 2个P沟道
栅极电荷 -
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ(mΩ)
Id-连续漏极电流 100A
最大功率耗散 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UTT100P03L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTT100P03L-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTT100P03L-VB UTT100P03L-VB数据手册

UTT100P03L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
1000+ ¥ 3.3111
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型号 价格(含增值税)
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