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9R340C-VB TO263

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO263;N沟道;VDS=900V;ID =20A;RDS(ON)=270mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;该产品适用于高频电源模块,如射频通信设备、雷达系统等,用于提供稳定的高频电源输出。
供应商型号: 9R340C-VB TO263 TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 9R340C-VB TO263

9R340C-VB TO263概述

    电子元器件产品技术手册解析
    本文将详细介绍一种新型的900V N-Channel Super Junction Power MOSFET(型号9R340C),这款产品由VBsemi公司生产。我们将从产品概述、技术参数、产品特点和优势、应用案例和使用建议、兼容性和支持,以及常见问题与解决方案等方面进行分析。

    产品简介


    产品类型: N-Channel 900V Super Junction Power MOSFET
    主要功能: 该产品是一种高性能功率MOSFET,适用于各种高压和高效率的电力转换应用。它具有低导通电阻(RDS(on))和低输入电容(Ciss),能够有效减少开关损耗和传导损耗。
    应用领域:
    - 服务器和电信电源系统
    - 开关模式电源(SMPS)
    - 功率因数校正电源(PFC)
    - 照明(如高强度放电灯HID和荧光灯球)
    - 工业应用(如焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器、可再生能源和太阳能光伏逆变器)

    技术参数


    - 最大耐压 (VDS): 900V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.27Ω (VGS = 10V)
    - 总栅极电荷 (Qg): 最大122nC
    - 输入电容 (Ciss): 2408pF (VGS = 0V, VDS = 100V, f = 1MHz)
    - 输出电容 (Coss): 81pF
    - 反向转移电容 (Crss): -9pF
    - 门限电压 (VGS(th)): 2.0V ~ 4.0V
    - 最大持续漏电流 (ID): 12A (TC = 100°C)
    - 脉冲漏电流 (IDM): 60A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 383mJ
    - 最大功耗 (PD): 218W
    - 热阻 (RthJA): 最大62°C/W

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷 (Qg) 和 低输入电容 (Ciss): 这些特性使得该MOSFET具有较低的开关损耗和快速开关时间,从而提高了系统的整体效率。
    - 超低导通电阻 (RDS(on)): 在典型条件下仅为0.27Ω,降低了在高电流条件下的导通损耗。
    - 宽温度范围: 能够在-55°C到+150°C的工作温度范围内保持稳定性能。
    - 高可靠性: 通过了严格的测试,保证了在极端环境下的长期可靠运行。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源系统: 在这种应用中,MOSFET需要在高压环境下工作,因此需要其具有高耐压和高可靠性。
    - 开关模式电源(SMPS): SMPS要求高效的开关性能,因此9R340C的低栅极电荷和快速开关特性非常适用。
    - 照明应用: 例如HID灯和荧光灯,需要驱动电路提供稳定的电流,9R340C的低损耗特性有助于提高系统的效率。
    使用建议:
    - 在选择MOSFET时,确保其最大漏源电压(VDS)不超过额定值,同时注意散热设计以避免过热。
    - 在高频率应用中,应特别关注其寄生电容的影响,可能需要外部补偿电路来优化性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该MOSFET与常见的电源管理和驱动电路兼容,可以轻松集成到现有的系统中。
    - 支持和维护: VBsemi公司提供了详尽的技术文档和应用指南,用户可以通过官方网站下载相关资料。此外,他们还提供专业的技术支持团队,为用户提供全方位的支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关过程中出现异常噪声。
    解决方案: 检查电路布局是否存在不必要的杂散电感,必要时增加接地平面和低漏电电感变压器。
    - 问题2: 温度过高导致性能下降。
    解决方案: 检查散热设计,确保足够的散热片和良好的空气流通。

    总结和推荐


    综上所述,9R340C是一款高性能、高可靠性的N-Channel 900V Super Junction Power MOSFET。其出色的电气特性和广泛的应用范围使其成为电力转换和管理应用的理想选择。强烈推荐给需要高效能、高可靠性的应用场合。如果你正在寻找一款适用于高压和高效率电力转换的MOSFET,9R340C将是你的最佳选择。

9R340C-VB TO263参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 270mΩ(mΩ)
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 900V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 1
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 20A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 2个N沟道
长*宽*高 16mm*10.8mm*4.9mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

9R340C-VB TO263厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

9R340C-VB TO263数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 9R340C-VB TO263 9R340C-VB TO263数据手册

9R340C-VB TO263封装设计

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