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H5N3008P-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO3P;N沟道;VDS=600V;ID =47A;RDS(ON)=60mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;用于各种需要高功率和精确控制的工业驱动系统,如大型机械设备的电机控制。
供应商型号: H5N3008P-VB TO-3PN
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) H5N3008P-VB

H5N3008P-VB概述

    # H5N3008P-VB 600V N-Channel Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    H5N3008P-VB 是一款高性能的 N-通道 600V 超级结功率 MOSFET(Super Junction Power MOSFET),广泛应用于各类电力转换和控制电路中。此款 MOSFET 具备低导通电阻(RDS(on))和超低栅极电荷(Qg),能够显著降低开关损耗和传导损耗,从而提高效率并降低整体功耗。适用于多种应用场景,包括服务器和电信电源供应系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、高亮度放电灯照明、荧光灯镇流器、工业焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器、可再生能源系统(如太阳能光伏逆变器)等。

    技术参数


    | 参数名称 | 标称值 | 单位 |
    |
    | 最大耐压 VDS | 600 | V |
    | 导通电阻 RDS(on) | 0.06 | Ω |
    | 漏源击穿电压 VDS | 600 | V |
    | 最大栅源电压 VGS | ±30 | V |
    | 最大持续漏电流 | TC=25°C | 47 | A |
    | 最大脉冲漏电流 | 142 | A |
    | 最大单次雪崩能量 | 1410 | mJ |
    | 最大功耗 PD | 415 | W |
    | 热阻 RthJA | - | 40 | °C/W |
    | 热阻 RthJC | - | 0.3 | °C/W |
    | 输入电容 Ciss | 5682 | pF |
    | 输出电容 Coss | 251 | pF |
    | 有效输出电容 Co(er) | 192 | pF |
    | 总栅极电荷 Qg | 273 | nC |

    产品特点和优势


    H5N3008P-VB 的主要特点和优势包括:
    - 低栅极电荷(Qg):减少开关损耗,提高系统效率。
    - 低输入电容(Ciss):减小输入电流噪声,提高信号完整性。
    - 减少开关和传导损耗:由于低 RDS(on) 和低栅极电荷,显著降低了系统的总功耗。
    - 抗雪崩能力:具备重复性雪崩测试条件下的高可靠性。
    - 广泛的适用性:适用于多种工业和消费电子产品,尤其是在高频和高压应用中表现出色。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    H5N3008P-VB 已经成功应用于各种电力转换和控制设备中,例如:
    - 服务器和电信电源供应系统:高效率的电源设计中,显著降低了功耗和发热。
    - 开关模式电源(SMPS):高效能和高可靠性是关键要求。
    - 功率因数校正电源(PFC):优化功率传输,提升系统效率。
    - 工业焊接设备:提高焊接效率和质量。
    使用建议
    - 在选择 MOSFET 的驱动器时,应考虑栅极电荷(Qg)和栅极输入电阻(Rg),以确保合适的驱动强度。
    - 系统设计时需考虑热管理,合理安排散热片,确保器件工作温度不超出最大限制。
    - 在高频应用中,需注意布局布线,减少寄生电感,以降低开关过程中的振荡和噪声。

    兼容性和支持


    H5N3008P-VB 与多数主流电源转换控制器和驱动器兼容,能够方便地集成到现有的系统设计中。制造商提供详尽的技术支持和售后服务,包括技术咨询、故障排查和维修服务。具体技术支持信息可联系制造商的服务热线:400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. Qg 太高导致驱动功率不足
    2. 过高的 VDS 导致器件损坏
    3. 高频率开关下系统稳定性差
    解决方案
    1. 增加驱动器功率:选择更高功率的驱动器以满足 Qg 需求。
    2. 安装合适保护电路:在电路中加入过压保护措施,避免 VDS 超过额定值。
    3. 优化 PCB 设计:降低寄生电感,优化布局布线,以提高系统稳定性。

    总结和推荐


    H5N3008P-VB 作为一款高性能 N-通道超级结功率 MOSFET,在效率、可靠性和应用范围上均表现出色。它特别适合于高要求的应用场合,如高密度电源、工业控制和可再生能源系统。经过详细的技术验证和广泛应用验证,我们强烈推荐 H5N3008P-VB 用于对效率和可靠性有严格要求的电力转换和控制电路中。
    如有任何疑问或需要进一步的技术支持,请随时联系制造商的服务热线:400-655-8788。

H5N3008P-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
FET类型 2个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 60mΩ(mΩ)
通道数量 1
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 47A
长*宽*高 40.1mm*15.7mm*4.9mm
通用封装 TO-3PN
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

H5N3008P-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

H5N3008P-VB数据手册

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H5N3008P-VB封装设计

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