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IRFU3412PBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO251;N沟道;VDS=100V;ID =50A;RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.8V;其高漏极-源极电压和低阈值电压特性使其适用于各种规模的太阳能逆变器,从小型家庭系统到大型商业和工业应用。
供应商型号: IRFU3412PBF-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFU3412PBF-VB

IRFU3412PBF-VB概述

    N-Channel 100V MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 100V MOSFET 是一种高性能的TrenchFET®功率MOSFET,适用于PWM优化的应用场合。它在175°C结温下表现出卓越的性能,非常适合用作初级侧开关。这种MOSFET广泛应用于多种电子设备中,如电源转换、电机驱动和其他需要高效能和高可靠性的领域。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 漏源电压 (VDS):100V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏电流 (TJ = 175°C):43A
    - 脉冲漏电流 (IDM):150A
    - 最大功耗 (TC = 25°C):96W
    - 操作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 175°C
    - 热阻:
    - 结至环境热阻 (RthJA):15°C/W(典型值),18°C/W(最大值)
    - 结至外壳(漏极)热阻 (RthJC):0.85°C/W(典型值),1.1°C/W(最大值)
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 (VDS):100V
    - 栅阈值电压 (VGS(th)):2V 至 4V
    - 零栅电压漏电流 (IDSS):1µA
    - 通态漏电流 (ID(on)):40A
    - 通态漏源电阻 (RDS(on)):0.025Ω(在VGS = 10V, ID = 3A, TJ = 175°C时)
    - 动态参数:
    - 输入电容 (Ciss):1800pF
    - 输出电容 (Coss):180pF
    - 反向传输电容 (Crss):80pF
    - 总栅电荷 (Qg):34nC 至 51nC
    - 开启延迟时间 (td(on)):15ns 至 25ns
    - 关断延迟时间 (td(off)):30ns 至 45ns
    - 下降时间 (tf):60ns 至 90ns

    产品特点和优势


    N-Channel 100V MOSFET 的主要特点包括:
    - 高温运行能力:最高可承受175°C的结温。
    - PWM优化设计:特别适合于脉宽调制应用。
    - 高可靠性测试:所有器件都通过100% Rg测试。
    - 环保材料:符合RoHS指令,不含有害物质。

    应用案例和使用建议


    N-Channel 100V MOSFET 主要用于初级侧开关,例如在电源适配器、DC-DC转换器和电池充电器中。在这些应用中,其高可靠性、低导通电阻和快速开关性能能够显著提高系统的效率和稳定性。建议在使用时确保散热良好,以避免因过热导致的损坏。

    兼容性和支持


    该产品设计与多数标准电路板兼容,可以轻松集成到现有的系统中。厂商提供全面的技术支持,包括在线文档、样品和技术咨询,以帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确保MOSFET不超负荷?
    - 解决方法:通过监控温度和负载电流来确保不超过绝对最大额定值。
    - 问题:如何改善散热?
    - 解决方法:采用散热片或强制风冷方式,增加散热面积。
    - 问题:如何测试栅极电阻?
    - 解决方法:使用多用电表测量栅极电阻,确保其在正常范围内。

    总结和推荐


    N-Channel 100V MOSFET 是一款高度可靠的电子元器件,具有卓越的性能和广泛的适用范围。它的高温运行能力和快速开关性能使其成为许多应用的理想选择。强烈推荐给需要高效率和高可靠性的电子工程师和设计师。
    通过上述分析,N-Channel 100V MOSFET 显然是市场上同类产品的佼佼者,无论是在性能还是在应用方面都有着显著的优势。因此,我们强烈推荐使用这款产品。

IRFU3412PBF-VB参数

参数
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 19mΩ(mΩ)
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 1
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 50A
长*宽*高 11.8mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRFU3412PBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFU3412PBF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFU3412PBF-VB IRFU3412PBF-VB数据手册

IRFU3412PBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
4000+ ¥ 2.8502
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