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CED02N9-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;N沟道;VDS=900V;ID =2A;RDS(ON)=2700mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于太阳能逆变器中的功率开关,用于将太阳能光伏板产生的直流电转换为交流电,供电给家庭或工业用电网络。
供应商型号: CED02N9-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) CED02N9-VB

CED02N9-VB概述

    CED02N9 N-Channel (D-S) Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    CED02N9 是一款高性能的 N-Channel(D-S)超结功率 MOSFET。这种类型的 MOSFET 在众多应用领域中表现出色,包括电源管理、电机控制、LED 照明和新能源汽车等领域。其独特的设计使其具有出色的动态开关能力和高可靠性。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS): 900V
    - 最大栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏极电流 (ID): 5.5A (TC = 25°C), 2.5A (TC = 100°C)
    - 重复脉冲漏极电流 (IDM): 8.0A
    - 最大结到壳热阻 (RthJC): 0.65°C/W
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 470mJ
    - 最大重复雪崩电流 (IAR): 4.8A
    - 最大重复雪崩能量 (EAR): 19mJ
    - 最大功耗 (PD): 120W (TC = 25°C)
    - 最高结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 输出电容 (Coss): 500pF
    - 反向传输电容 (Crss): 290pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 200nC
    - 栅极-源极电荷 (Qgs): 24nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd): 110nC
    - 反向恢复时间 (trr): 650ns(典型值)

    产品特点和优势


    - 快速开关能力: CED02N9 具有低反向恢复时间和高开关频率,适用于高频开关应用。
    - 并联容易: 由于其低导通电阻,CED02N9 能够轻松实现并联操作,提高系统效率。
    - 易于驱动: 简单的驱动要求使得集成到现有系统变得更加便捷。
    - 符合RoHS标准: 遵循RoHS 2002/95/EC指令,符合环保要求。
    - 高可靠性: 复杂的多层超结结构提高了器件的长期可靠性。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例: CED02N9 可用于电动车辆充电系统中的逆变器和DC-DC转换器,以及其他高功率密度场合。
    - 使用建议: 在设计电路时,应确保散热设计充分以避免过热。此外,在选择外围电路组件时,要考虑到寄生电感的影响,以避免对器件的损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性: CED02N9 可与大多数标准电源管理系统兼容。
    - 支持: 厂商提供详尽的技术文档和客户支持,帮助用户进行设计和调试。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 开关速度慢
    - 解决方案: 检查驱动电路,确保栅极驱动电压足够高,同时降低寄生电感的影响。

    - 问题: 散热不良导致过温
    - 解决方案: 改进散热设计,使用更大的散热片或增强风冷系统。

    总结和推荐


    总体而言,CED02N9是一款高性能的N-Channel超结功率MOSFET,具备快速开关能力、高可靠性以及易于驱动等优点。特别是在需要高频率、高功率密度的应用场合中表现尤为出色。因此,我强烈推荐使用这款产品。
    通过以上分析,可以看出 CED02N9 是一款值得信赖的产品,适用于多种电力电子应用。希望本文能够为您提供有关此产品的全面了解。

CED02N9-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 2.7Ω(mΩ)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 900V
FET类型 2个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 2A
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
通道数量 1
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

CED02N9-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

CED02N9-VB数据手册

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CED02N9-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 4.4995
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